[发明专利]一种低介电常数OCA光学材料及制备方法在审
申请号: | 202010965302.8 | 申请日: | 2020-09-15 |
公开(公告)号: | CN112194995A | 公开(公告)日: | 2021-01-08 |
发明(设计)人: | 滕祥秀;华永军 | 申请(专利权)人: | 苏州桐力光电股份有限公司 |
主分类号: | C09J7/30 | 分类号: | C09J7/30;C09J7/25;C09J183/07;C09J183/05;C09J183/04;C09J177/00;C09J179/08;C09J123/08;C09J11/06 |
代理公司: | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 | 代理人: | 王华 |
地址: | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 介电常数 oca 光学材料 制备 方法 | ||
1.一种低介电常数OCA光学材料,其特征在于:包括依次层叠的第一离型膜层、第一有机硅材料层、低K值薄膜、第二有机硅材料层和第二离型膜层;所述第一有机硅材料层和第二有机硅材料层的原料配方包括下列重量份的原料:
乙烯基硅油 50-100重量份;
乙烯基硅树脂 10-50重量份;
含氢硅油 10-50重量份;
含氢硅树脂 10-20重量份;
低K值树脂 10-30重量份;
添加剂 0-5重量份;
稳定剂 0-1重量份;
催化剂 0-1重量份;
所述低K值树脂为非极性树脂,所述非极性树脂为聚硅氧烷、聚烯烃树脂、聚酰胺、聚酰亚胺和聚苯并恶嗪中的至少一种;所述低K值薄膜为硅基低K值薄膜,所述硅基低K值薄膜为倍半硅氧烷基多孔薄膜、二氧化硅基多孔薄膜、多孔硅薄膜和多孔SiCOH薄膜中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的低介电常数OCA光学材料,其特征在于:所述第一离型膜层和第二离型膜层的材料均为氟素离型膜。
3.根据权利要求1所述的低介电常数OCA光学材料,其特征在于:所述乙烯基硅油为乙烯基封端的聚二甲基硅油,其分子式为:(ViMe3SiO1/2)2(Me2SiO)n,Vi代表乙烯基,Me代表甲基,n=10~100。
4.根据权利要求1所述的低介电常数OCA光学材料,其特征在于:所述乙烯基硅树脂为乙烯基封端的MQ硅树脂,其分子式为:(ViMe2SiO1/2)m(MeSiO3/2)n,Vi代表乙烯基,Me代表甲基,n/m≥2。
5.根据权利要求1所述的低介电常数OCA光学材料,其特征在于:所述含氢硅油为硅氢基团封端的聚二甲基硅油,其分子式为:(HMe2SiO1/2)2(Me2SiO1/2)m,Me代表甲基,m=1~10。
6.根据权利要求1所述的低介电常数OCA光学材料,其特征在于:所述含氢硅树脂为硅氢基团封端的MT或MQ树脂,其分子式为:(HMe2SiO1/2)3(Me2SiO1/2)m(MeSiO3/2)n,其中,Me代表甲基,m/n≥1。
7.根据权利要求1所述的低介电常数OCA光学材料,其特征在于:所述聚硅氧烷的分子式为:(Me3SiO1/2)m(MeSiO3/2)n,Me代表甲基,n/m≥2;聚烯烃树脂为线性低密度聚乙烯。
8.根据权利要求1所述的低介电常数OCA光学材料,其特征在于:所述添加剂为碳官能硅烷、碳官能硅氧烷、硅硼增粘剂和改性硅油中的至少一种。
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