[发明专利]一种高压多路复用器芯片的版图结构

权利要求书

1.一种高压多路复用器芯片的版图结构，其特征是，包括第一版图区、第二版图区、第三版图区、第四版图区、第五版图区和第六版图区，其中，第一版图区与第二版图区和第四版图区相连，第二版图区与第三版图区相连，第三版图区与第六版图区相连相连；第五版图区与第一、二、三、四、六版图区均相连；

第一版图区为输入整形电路版图区，包括逻辑控制输入和使能输入版图区，采用正电源和地供电；

第二版图区为电平转换电路版图区，采用正电源和负电源供电；

第三版图区为译码电路版图区，包括数字逻辑控制电路版图区，采用正电源和负电源供电；

第四版图区为输入接口版图区，包括输入ESD保护版图区和地线版图区；

第五版图区为输出接口版图区，包括输出接口版图区和正负电源线版图区；

第六版图区为多路复用器电路版图区，包括开关控制电路、开关电路和开关接口ESD保护版图区，采用正电源和负电源供电。

2.根据权利要求1所述的高压多路复用器芯片的版图结构，其特征是，第一版图区添加衬底隔离环和N阱隔离环与第四版图区进行隔离。

3.根据权利要求1所述的高压多路复用器芯片的版图结构，其特征是，第二版图区与第一版图区间设有预设距离20μm~30μm。

4.根据权利要求1所述的高压多路复用器芯片的版图结构，其特征是，第二版图区添加衬底隔离环和N阱隔离环与第一版图区进行隔离。

5.根据权利要求1所述的高压多路复用器芯片的版图结构，其特征是，第三版图区的控制信号线等长。

6.根据权利要求1所述的高压多路复用器芯片的版图结构，其特征是，所述第六版图区中，开关电路的PMOS和NMOS设置在该路输出接口的两侧，并添加衬底隔离环和N阱隔离环。

7.根据权利要求1所述的高压多路复用器芯片的版图结构，其特征是，第二版图区和第四版图区分别设置在第一版图区的相对的两侧；

第三版图区设置在第二版图区的一侧并与第一版图区相对，第五版图区设置在第三版图区的一侧并与第二版图区相对；

第六版图区对称地设置在其他版图区的两侧。