[发明专利]一种高压多路复用器芯片的版图结构在审

专利信息
申请号: 202010965711.8 申请日: 2020-09-15
公开(公告)号: CN112115672A 公开(公告)日: 2020-12-22
发明(设计)人: 吕江萍 申请(专利权)人: 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心
主分类号: G06F30/392 分类号: G06F30/392
代理公司: 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人: 耿英
地址: 215163 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 高压 多路复用 芯片 版图 结构
【说明书】:

发明公开了一种高压多路复用器芯片的版图结构,第一版图区与第二版图区和第四版图区相连,第二版图区与第三版图区相连,第三版图区与第六版图区相连相连;第五版图区与第一、二、三、四、六版图区均相连;第一版图区为输入整形电路版图区;第二版图区为电平转换电路版图区;第三版图区为译码电路版图区;第四版图区为输入接口版图区;第五版图区为输出接口版图区;第六版图区为多路复用器电路版图区。本发明的版图结构,各版图区布局合理、紧凑,面积达到最优化,降低了芯片成本;同时,不同电压阈电路模块、数字模块和模拟模块之间有效隔离,提高通道一致性和抗闩锁能力。

技术领域

本发明涉及集成电路设计技术领域,涉及芯片版图结构,尤其涉及一种高压多路复用器芯片的版图结构。

背景技术

高压多路复用器常常用于模拟信号与数字控制器的接口,随着半导体技术的快速发展和消费电子产品的升级,开关功能是视频、音频传输及处理过程中的一个很重要组成部分,在手机和其它超便携产品中广泛应用,对高压多路复用器芯片的性能指标提出了更多的要求,除了要求低的导通电阻和电阻平坦性特性外,对在高压下通道串扰、通道一致性以及高压抗闩锁等特性要求显著提高,因此设计一款基于高压多路复用器芯片尤为必要。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷,提供一种合理高效的多路复用器芯片的版图结构,通过合理的芯片布局布线实现了芯片的高性能、低成本、高压抗闩锁能力。

为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案如下:

一种高压多路复用器芯片的版图结构,包括第一版图区、第二版图区、第三版图区、第四版图区、第五版图区和第六版图区,其中,第一版图区与第二版图区和第四版图区相连,第二版图区与第三版图区相连,第三版图区与第六版图区相连相连;第五版图区与第一、二、三、四、六版图区均相连;

第一版图区为输入整形电路版图区,包括逻辑控制输入和使能输入版图区,采用正电源和地供电;

第二版图区为电平转换电路版图区,采用正电源和负电源供电;

第三版图区为译码电路版图区,包括数字逻辑控制电路版图区,采用正电源和负电源供电;

第四版图区为输入接口版图区,包括输入ESD保护版图区和地线版图区;

第五版图区为输出接口版图区,包括输出接口版图区和正负电源线版图区;

第六版图区为多路复用器电路版图区,包括开关控制电路、开关电路和开关接口ESD保护版图区,采用正电源和负电源供电。

进一步地,第一版图区添加衬底隔离环和N阱隔离环与第四版图区进行隔离。

进一步地,第二版图区与第一版图区间设有预设距离20μm~30μm。

进一步地,第二版图区添加衬底隔离环和N阱隔离环与第一版图区进行隔离。

进一步地,第三版图区的控制信号线等长。

进一步地,所述第六版图区中,开关电路的PMOS和NMOS设置在该路输出接口的两侧,并添加衬底隔离环和N阱隔离环。

进一步地,第二版图区和第四版图区分别设置在第一版图区的相对的两侧;

第三版图区设置在第二版图区的一侧并与第一版图区相对,第五版图区设置在第三版图区的一侧并与第二版图区相对;

第六版图区对称地设置在其他版图区的两侧。

本发明所达到的有益效果:

本发明的版图结构,各版图区布局合理、紧凑,面积达到最优化,降低了芯片成本;同时,不同电压阈电路模块、数字模块和模拟模块之间有效隔离,提高通道一致性和抗闩锁能力。

附图说明

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