[发明专利]电子器件及其形成方法

权利要求书

1.一种电子器件，包括：

结型场效应晶体管，所述结型场效应晶体管包括：

漏极接触区域，所述漏极接触区域具有第一导电类型；

沟道区域，所述沟道区域与所述漏极接触区域间隔开并且具有所述第一导电类型；和

第一栅极区域，所述第一栅极区域与所述沟道区域相邻并具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，其中所述第一栅极区域包括第一部分和第二部分，所述第二部分设置在所述第一部分和所述漏极接触区域之间，并且所述第二部分与所述第一部分相比具有更低的掺杂物浓度。

2.根据权利要求1所述的电子器件，还包括：

绝缘栅场效应晶体管，所述绝缘栅场效应晶体管与所述结型场效应晶体管间隔开；

浮动掩埋掺杂区域，所述浮动掩埋掺杂区域位于所述结型场效应晶体管下方；和

场隔离结构，所述场隔离结构至少延伸穿过所述浮动掩埋掺杂区域，其中所述场隔离结构设置在所述结型场效应晶体管和所述绝缘栅场效应晶体管之间。

3.根据权利要求1或2所述的电子器件，其中所述结型场效应晶体管还包括第二栅极区域，其中：

所述第一栅极区域的所述第一部分位于所述沟道区域下方，并且

所述第二栅极区域覆盖在所述沟道区域上面。

4.根据权利要求3所述的电子器件，其中所述结型场效应晶体管还包括：

第一掺杂区域，所述第一掺杂区域具有所述第一导电类型；和

第二掺杂区域，所述第二掺杂区域具有所述第一导电类型，

其中：

所述第一掺杂区域与所述第二掺杂区域相比具有更低的掺杂物浓度，

所述沟道区域与靠近所述第二掺杂区域相比更靠近所述第一掺杂区域，并且

所述漏极接触区域与靠近所述第一掺杂区域相比更靠近所述第二掺杂区域。

5.根据权利要求4所述的电子器件，其中所述结型场效应晶体管还包括具有所述第二导电类型的降低表面电场区域，其中所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域中的每一个的至少若干部分覆盖在所述降低表面电场区域上面。

6.根据权利要求5所述的电子器件，其中所述结型场效应晶体管还包括栅极连接区域，所述栅极连接区域具有所述第二导电类型并且接触所述降低表面电场区域。

7.一种电子器件，包括：

结型场效应晶体管，所述结型场效应晶体管包括：

第一沟道区域，所述第一沟道区域具有第一导电类型；和

栅极，所述栅极具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，其中，在宽度方向上，所述栅极包围所述第一沟道区域。

8.根据权利要求7所述的电子器件，还包括第二沟道区域，其中：

所述第二沟道区域与所述第一沟道间隔开，

在所述宽度方向上，所述栅极包围所述第二沟道区域，并且

所述栅极包括覆盖在所述第一沟道区域和所述第二沟道区域上面的顶部栅极区域和包括阱区域的底部栅极电极。

9.一种形成包括结型场效应晶体管的电子器件的方法，包括：

在半导体层内形成栅极区域的第一部分，其中所述栅极区域的所述第一部分具有第一导电类型；

在所述半导体层内形成所述栅极区域的第二部分，其中所述第二部分具有所述第一导电类型；以及

在所述半导体内形成漏极接触区域，并且具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，

其中在成品的器件中，

所述栅极区域的所述第二部分设置在所述栅极区域的所述第一部分和所述漏极接触区域之间，

所述第二部分与所述第一部分相比具有更低的掺杂物浓度，

所述结型场效应晶体管的沟道区域具有所述第二导电类型，并且

所述沟道区域和所述栅极区域中的每一个与所述漏极接触区域间隔开。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括：

形成具有所述第二导电类型和背景掺杂物浓度的所述半导体层；

在所述半导体层内形成第一掺杂区域，其中所述第一掺杂区域具有所述第二导电类型和高于所述背景掺杂物浓度的掺杂物浓度；

在所述半导体层内形成第二掺杂区域；以及

形成源极接触区域，

其中在所述成品器件中，

所述半导体层的具有所述背景掺杂物浓度的部分设置在所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域之间，

所述半导体层的所述部分以及所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域设置在所述沟道区域和所述漏极接触区域之间，并且

所述沟道区域、所述第一掺杂区域、所述半导体层的所述部分和所述第二掺杂区域中的每一个沿着所述源极接触区域和所述漏极接触区域之间的导电路径。