[发明专利]一种存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器件，其特征在于，包括：

第一器件结构和第二器件结构；

所述第一器件结构包括由下至上依次层叠的第一底电极、第一掺杂材料层、本征材料层、第二掺杂材料层和第一顶电极；

所述第二器件结构包括由下至上依次层叠的第二底电极、隧道结和第二顶电极；

所述第一底电极与所述第二底电极连接，所述第一顶电极与所述第二顶电极连接。

2.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述隧道结包括：

由下至上依次层叠的磁性自由层、绝缘层、磁性固定层和钉扎层。

3.根据权利要求2所述的存储器器件，其特征在于，所述隧道结包括：

保护层，所述保护层位于所述钉扎层上。

4.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述隧道结包括：

由下至上依次层叠的钉扎层、磁性固定层、绝缘层和磁性自由层。

5.根据权利要求4所述的存储器件，其特征在于，所述隧道结包括：

保护层，所述保护层位于所述磁性自由层上。

6.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述第一底电极与所述第二底电极之间形成有第一开关，所述第一顶电极和所述第二顶电极之间形成有第二开关。

7.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述第一底电极与所述第二底电极通过第一金属线或第一硅通孔连接，所述第一顶电极与所述第二顶电极通过第二金属线或第二硅通孔连接。

8.一种存储器件的制造方法，其特征在于，包括：

在基片上分别形成第一底电极和第二底电极，所述第一底电极和所述第二底电极之间有间隔；

在所述第一底电极上依次形成第一掺杂材料层、本征材料层、第二掺杂材料层和第一顶电极；

在所述第二底电极上依次形成隧道结和第二顶电极；

将所述第一底电极和所述第二底电极连接，所述第一顶电极和所述第二顶电极连接。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述在所述第二底电极上形成隧道结，包括：

在所述第二底电极上依次形成磁性自由层、绝缘层、磁性固定层和钉扎层。

10.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述在所述第二底电极上形成隧道结，包括：

在所述第二底电极上依次形成钉扎层、磁性固定层、绝缘层和磁性自由层。