[发明专利]一种存储器件及其制造方法

说明书

本发明提供的一种存储器件及其制造方法，包括：第一器件结构和第二器件结构，第一器件结构包括依次层叠的第一底电极、本征材料层、第一掺杂材料层、第二掺杂材料层和第一顶电极，第二器件结构包括依次层叠的第二底电极、隧道结和第二顶电极，第一底电极与第二底电极连接，第一顶电极和第二顶电极连接。这样，第一器件结构感光后产生光电流信号，光电流流入第二器件结构的隧道结中，隧道结中预先存储有图像识别模型的训练结果，从而能够进行图像的识别。由于第一器件结构为自驱动功能的PN结器件，无需额外的电流，能耗低，局限性较小，且第一器件结构的光吸收范围较宽、响应速度较快，进一步提高了存储器件的适用范围。

技术领域

本发明涉及半导体器件及其制造领域，特别涉及一种存储器件及其制造方法。

背景技术

图像识别是人工智能的一个重要领域，图像识别是指利用计算机对图像进行处理、分析和理解，以识别各种不同模式的目标和对象的技术。

目前人工智能图像识别主要是采用CMOS图像传感器的摄像头采集图像，图像以数字信号的形式传输至计算机的内存储器中，而后计算机的处理器将传输的图像信息与内存储器中预先存储的图像信息进行匹配，识别传输的图像信息。

但是，人工智能图像识别的过程需要外接电源才能实现，能耗较高，并且不适合应用于野外极端条件等特殊环境，具有较大的局限性。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种存储器件及其制造方法，突破目前图像识别的局限性。

为实现上述目的，本发明有如下技术方案：

一种存储器件，其特征在于，包括：

第一器件结构和第二器件结构；

所述第一器件结构包括由下至上依次层叠的第一底电极、第一掺杂材料层、本征材料层、第二掺杂材料层和第一顶电极；

所述第二器件结构包括由下至上依次层叠的第二底电极、隧道结和第二顶电极；

所述第一底电极与所述第二底电极连接，所述第一顶电极与所述第二顶电极连接。

可选的，所述隧道结包括：

由下至上依次层叠的磁性自由层、绝缘层、磁性固定层和钉扎层。

可选的，所述隧道结包括：

保护层，所述保护层位于所述钉扎层上。

可选的，所述隧道结包括：

由下至上依次层叠的钉扎层、磁性固定层、绝缘层和磁性自由层。

可选的，所述隧道结包括：

保护层，所述保护层位于所述磁性自由层上。

可选的，所述第一底电极与所述第二底电极之间形成有第一开关，所述第一顶电极和所述第二顶电极之间形成有第二开关。

可选的，所述第一底电极与所述第二底电极通过第一金属线或第一硅通孔连接，所述第一顶电极与所述第二顶电极通过第二金属线或第二硅通孔连接。

一种存储器件的制造方法，包括：

在基片上分别形成第一底电极和第二底电极，所述第一底电极和所述第二底电极之间有间隔；

在所述第一底电极上依次形成第一掺杂材料、本征材料层、第二掺杂材料层和第一顶电极；

在所述第二底电极上依次形成隧道结和第二顶电极；

将所述第一底电极和所述第二底电极连接，所述第一顶电极和所述第二顶电极连接。

可选的，所述在所述第二底电极上形成隧道结，包括：