[发明专利]一种充电电路有效

专利信息
申请号: 202010968973.X 申请日: 2020-09-15
公开(公告)号: CN112186835B 公开(公告)日: 2022-06-10
发明(设计)人: 丁齐兵;王云;郑鲲鲲;薛静;王飞;郝炳贤;任广辉;刘建;马玫娟;张建华 申请(专利权)人: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00
代理公司: 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 代理人: 刘广达
地址: 510535 广东省广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 充电 电路
【权利要求书】:

1.一种充电电路,其特征在于,包括:栅极电压电路、栅极电压保护电路、电流限制电路、反向保护电路、过压保护电路和通路电路;

所述栅极电压电路与所述电流限制电路、通路电路、栅极电压保护电路以及反向保护电路连接;

所述电流限制电路与所述反向保护电路、栅极电压保护电路、过压保护电路以及通路电路连接;所述栅极电压保护电路与所述过压保护电路和通路电路连接;

所述通路电路与所述过压保护电路连接;

其中,所述栅极电压电路,包括:第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管和第六MOS管;所述第一MOS管的源端和第二MOS管的源端连接,所述第一MOS管的漏端和栅端均与所述第二MOS管的栅端连接,所述第一MOS管的漏端还与第三MOS管的源端连接;所述第二MOS管的漏端与所述第四MOS管的源端连接;所述第三MOS管的栅端和漏端均与所述第四MOS管的栅端连接,所述第三MOS管的漏端还与所述第六MOS管的漏端连接;所述第四MOS管的漏端与所述电流限制电路、栅极电压保护电路、通路电路以及反向保护电路连接;所述第六MOS管的栅端与工作电压端连接,源端与所述第五MOS管的漏端连接;所述第五MOS管的栅端与所述电流限制电路连接,源端与接地端连接。

2.如权利要求1所述的充电电路,其特征在于,所述栅极电压保护电路,包括:第七MOS管和第八MOS管;

所述第七MOS管的源端与所述栅极电压电路的第四MOS管的漏极、过压保护电路以及通路电路连接,漏端和栅端均与所述第八MOS管的源端连接;

第八MOS管的漏端和栅端均连接所述通路电路。

3.如权利要求2所述的充电电路,其特征在于,所述通路电路,包括:第九MOS管和第十MOS管;

所述第九MOS管的栅端与所述第七MOS管的源端、第十MOS管的栅端以及第四MOS管的漏端连接,源端与所述第八MOS管的漏端和栅端、第十MOS管的源端以及电流限制电路连接,漏端与所述过压保护电路连接。

4.如权利要求3所述的充电电路,其特征在于,所述反向保护电路,包括:第一电阻、第十一MOS管、第十二MOS管、第十三MOS管、第十四MOS管、第十五MOS管和第十六MOS管;

所述第一电阻的一端与所述第十MOS管的漏端连接,另一端与第十二MOS管的栅端和源端连接;

所述第十一MOS管的漏端和栅端均与所述第四MOS管的漏端连接,源端与所述第十三MOS管的源端以及栅端连接;

所述第十二MOS管的漏端与所述十三MOS管的漏端以及第十四MOS管的漏端连接;

所述第十四MOS管的栅端与工作电压端连接,源端与所述第十五MOS管的漏端连接;

所述第十五MOS管的源端和第十六MOS管的源端均连接接地端;

所述第十六MOS管的漏端还输入偏置电流。

5.根据权利要求3所述的充电电路,其特征在于,所述电流限制电路包括:第十七MOS管、第十八MOS管、第十九MOS管、第二十MOS管、第二十一MOS管和第二十二MOS管;

所述第十七MOS管的源端与所述第十MOS管的栅端、第十九MOS管的源端、第七MOS管的源端以及所述过压保护电路连接,栅端与所述第二十MOS管的栅端和漏端,以及第二十一MOS管的漏端连接,漏端与所述第十八MOS管的漏端以及栅端连接;

所述第十八MOS管的源端与所述第十MOS管的源端以及第九MOS管的源端连接;

所述第十九MOS管的栅端和漏端均与第二十MOS管的源端连接;

所述第二十一MOS管的源端与第二十二MOS管的漏端连接,栅端输入启动信号。

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