[发明专利]一种充电电路有效

专利信息
申请号: 202010968973.X 申请日: 2020-09-15
公开(公告)号: CN112186835B 公开(公告)日: 2022-06-10
发明(设计)人: 丁齐兵;王云;郑鲲鲲;薛静;王飞;郝炳贤;任广辉;刘建;马玫娟;张建华 申请(专利权)人: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00
代理公司: 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 代理人: 刘广达
地址: 510535 广东省广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 充电 电路
【说明书】:

本申请公开了一种充电电路包括:栅极电压电路、栅极电压保护电路、电流限制电路、反向保护电路、过压保护电路和通路电路;所述栅极电压电路与所述电流限制电路、通路电路、栅极电压保护电路以及反向保护电路连接;所述电流限制电路与所述反向保护电路、栅极电压保护电路、过压保护电路以及通路电路连接;所述栅极电压保护电路与所述过压保护电路和通路电路连接;所述通路电路与所述过压保护电路连接。通过电流限制电路限制电流大小,能够减小电路的功耗,防止电路损坏;过压保护电路能够保护充电电路不因过压而损坏;反向保护电路能够防止电流从输出端反向流到输入,使充电电路正常且稳定的工作。

技术领域

本申请涉及电路领域,尤其涉及一种充电电路。

背景技术

现有的充电电路,在刚起电的时候,由于输出端的电压比较小,如果不限流,充电电流会很大,不稳定,并且大电流会导致内部电路产生很大功耗,进而可能损坏充电电路。并且,当输出电压参考地缓慢上升,输出电压比电源电压只有高出几毫伏时,反向保护往往不起作用,导致输出向电源放电,使输出相对输出电压参考地的电位差降低,使后面电路不能正常工作。

综上所述,需要提供一种能够进行稳定的充电工作、功耗小且不会损坏充电电路的充电电路。

发明内容

为解决以上问题,本申请提出了一种充电电路,包括:栅极电压电路、栅极电压保护电路、电流限制电路、反向保护电路、过压保护电路和通路电路;

所述栅极电压电路与所述电流限制电路、通路电路、栅极电压保护电路以及反向保护电路连接;

所述电流限制电路与所述反向保护电路、栅极电压保护电路、过压保护电路以及通路电路连接;所述栅极电压保护电路与所述过压保护电路和通路电路连接;

所述通路电路与所述过压保护电路连接。

优选地,所述栅极电压电路,包括:第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管和第六MOS管;

所述第一MOS管的源端和第二MOS管的源端连接,所述第一MOS管的漏端和栅端均与所述第二MOS管的栅端连接,所述第一MOS管的漏端还与第三MOS管的源端连接;

所述第二MOS管的漏端与所述第四MOS管的源端连接;

所述第三MOS管的栅端和漏端均与所述第四MOS管的栅端连接,所述第三MOS管的漏端还与所述第六MOS管的漏端连接;

所述第四MOS管的漏端与所述电流限制电路、栅极电压保护电路、通路电路以及反向保护电路连接;

所述第六MOS管的栅端与工作电压端连接,源端与所述第五MOS管的漏端连接;

所述第五MOS管的栅端与所述电流限制电路连接,源端与接地端连接。

优选地,所述栅极电压保护电路,包括:第七MOS管和第八MOS管;

所述第七MOS管的源端与所述栅极电压电路的第四MOS管的漏极、过压保护电路以及通路电路连接,漏端和栅端均与所述第八MOS管的源端连接;

第八MOS管的漏端和栅端均连接所述通路电路。

优选地,所述通路电路,包括:第九MOS管和第十MOS管;

所述第九MOS管的栅端与所述第七MOS管的源端、第十MOS管的栅端以及第四MOS管的漏端连接,源端与所述第八MOS管的漏端和栅端、第十MOS管的源端以及电流限制电路连接,漏端与所述过压保护电路连接。

优选地,所述反向保护电路,包括:第一电阻、第十一MOS管、第十二MOS管、第十三MOS管、第十四MOS管、第十五MOS管和第十六MOS管;

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