[发明专利]极紫外线微影遮罩和其制造方法

权利要求书

1.一种极紫外线微影遮罩，其特征在于，包括：

一基板；

一多层反射层，位于该基板上且配置成在极紫外线微影制程期间反射紫外线辐射；

一缓冲层，位于该多层反射层上；以及

一吸收层，位于该缓冲层上且配置成在极紫外线微影制程期间吸收紫外线辐射，其中该吸收层的至少一外围边缘与该缓冲层所对应的一外围边缘横向分开，使得该缓冲层中一顶表面的一周边部分暴露在外。

2.根据权利要求1所述的极紫外线微影遮罩，其特征在于，该吸收层的该至少一外围边缘与该缓冲层所对应的该外围边缘横向分开0.2毫米至2毫米。

3.根据权利要求1所述的极紫外线微影遮罩，其特征在于，该吸收层包括多个沟槽，该些沟槽暴露该缓冲层的该顶表面。

4.一种制造极紫外线微影遮罩的方法，其特征在于，包括：

在一基板上形成一多层反射层，该多层反射层配置成在极紫外线微影制程期间反射紫外线辐射；

在该多层反射层上形成一缓冲层；以及

在该缓冲层上形成一吸收层，且该吸收层具有一横向宽度小于该缓冲层沿着同一方向的一横向宽度，其中该吸收层配置成在极紫外线微影制程期间吸收紫外光。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，形成该吸收层包括：

沉积该吸收层在该缓冲层上；以及

通过移除该吸收层的一外部部分而暴露该缓冲层中一顶表面的一外围周边。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，进一步包括：

沉积光阻层在该吸收层的顶表面上、该吸收层的侧壁上及该缓冲层中该顶表面的该外围周边上；

图案化该光阻层；以及

在该光阻层覆盖该吸收层的侧壁时，执行一电浆蚀刻而在该吸收层中形成沟槽。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，该电浆蚀刻包括氯气。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，相对于该缓冲层，该电浆蚀刻以更快的速率选择性蚀刻该吸收层。

9.一种制造极紫外线微影遮罩的方法，其特征在于，包括：

在一基板上形成一多层反射层，该多层反射层配置成在极紫外线微影制程期间反射紫外光；

在该多层反射层上形成一缓冲层；

在该缓冲层上形成一吸收层，其中该吸收层配置成在极紫外线微影制程期间吸收紫外光；

通过一第一蚀刻制程移除该吸收层的一外部部分而暴露该缓冲层中一顶表面的一外部部分；以及

以一第二蚀刻制程在该吸收层中形成沟槽。

10.根据权利要求9所述的方法，进一步包括：

在该第一蚀刻制程之后，用光阻层覆盖该吸收层的侧壁；以及

在该光阻层覆盖该吸收层的侧壁时，执行该第二蚀刻制程。