[发明专利]极紫外线微影遮罩和其制造方法

说明书

一种极紫外线微影遮罩和其制造方法，制造极紫外线微影遮罩的方法包括形成多层反射层、在多层反射层上形成缓冲层，以及在多层反射层上形成吸收层。在图案化吸收层之前，移除吸收层的外部部分。接着沉积光阻层在吸收层的顶表面上及吸收层的侧壁上。接着图案化光阻层，且在图案化光阻层的存在下，以电浆蚀刻制程蚀刻吸收层。在电浆蚀刻制程期间，在吸收层侧壁上的光阻层有助于改良蚀刻吸收层的均匀性。

技术领域

本公开是关于微影领域。更具体而言，本公开是关于形成用于微影制程的遮罩。

背景技术

半导体集成电路工业已经历了指数型成长。集成电路材料及设计的技术进步已产生多代集成电路，其中每一代具有比前一代更小且更加复杂的电路。在集成电路演进的过程中，每晶片面积的互连装置数量普遍上已增加，而可使用制造制程形成的最小组件尺寸已变小。

这种等比例缩小的制程通常通过提高生产效率并降低相关成本来提供益处。这样的等比例缩小亦增加了集成电路处理及制造的复杂性。为了实现这些进步，需要类似于集成电路处理及制造中的演变。例如，执行更高解析度微影制程的需求增长。

极紫外线微影是一种微影制程，其采用的扫描仪使用在极紫外线区域中具有波长约1纳米至20纳米的光。极紫外线扫描仪在形成于吸收层上提供预期的图案，其中吸收层形成在反射遮罩上。使用吸收层的图案来形成基于图案的特征在半导体晶圆上。

发明内容

根据本公开的一些实施例，提供一种极紫外线微影遮罩，包括基板、多层反射层、缓冲层及吸收层，多层反射层位于基板上且配置成在极紫外线微影制程期间反射紫外线辐射，缓冲层位于多层反射层上，吸收层位于缓冲层上且配置成在极紫外线微影制程期间吸收紫外光。吸收层的至少一个外围边缘与缓冲层的对应外围边缘横向分开，使得缓冲层顶表面的周边部分暴露在外。

根据本公开的一些实施例，提供一种制造极紫外线微影遮罩的方法，包括在基板上形成多层反射层，多层反射层配置成在极紫外线微影制程期间反射紫外线辐射。方法包括在多层反射层上形成缓冲层。方法包括在缓冲层上形成吸收层，且吸收层具有小于缓冲层横向宽度的横向宽度。吸收层配置成在极紫外线微影制程期间吸收紫外光。

根据本公开的一些实施例，提供一种制造极紫外线微影遮罩的方法，包括在基板上形成多层反射层，多层反射层配置成在极紫外线微影制程期间反射紫外光。方法包括在多层反射层上形成缓冲层以及在缓冲层上形成吸收层。吸收层配置成在极紫外线微影制程期间吸收紫外光。方法包括通过第一蚀刻制程移除吸收层的外部部分而暴露缓冲层顶表面的外部部分。方法包括以第二蚀刻制程在吸收层中形成沟槽。

附图说明

图1是根据一实施例，极紫外线微影系统的方块图；

图2是根据一实施例，在制程中间阶段中微影遮罩的截面图；

图3是根据一实施例，在制程中间阶段中微影遮罩的截面图；

图4A是根据一实施例，在制程中间阶段中微影遮罩的截面图；

图4B是根据一实施例，图4A中微影遮罩的俯视图；

图5是根据一实施例，在制程中间阶段中微影遮罩的截面图；

图6是根据一实施例，在制程中间阶段中微影遮罩的截面图；

图7是根据一实施例，在制程中间阶段中微影遮罩的截面图；

图8是根据一实施例，微影遮罩的截面图；

图9是根据一实施例，在制程中间阶段中微影遮罩的截面图；

图10是根据一实施例，形成微影遮罩的方法流程图；

图11是根据一实施例，形成微影遮罩的方法流程图。

【符号说明】