[发明专利]集成电路装置及其制造方法有效
申请号: | 202010970710.2 | 申请日: | 2020-09-16 |
公开(公告)号: | CN111934649B | 公开(公告)日: | 2021-02-23 |
发明(设计)人: | 郭桂冠;王政尧;李维钧;赵冬冬 | 申请(专利权)人: | 苏州日月新半导体有限公司 |
主分类号: | H03H9/64 | 分类号: | H03H9/64;H03H9/145;H03H9/72 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 林斯凯 |
地址: | 215021 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种集成电路装置,其包括:
载板;以及
至少一个集成电路结构体,所述至少一个集成电路结构体藉由一个或多个导电突出部固定于所述载板上,且所述至少一个集成电路结构体中的每一者包括:
集成电路元件,所述集成电路元件具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面,所述第一表面具有一个或多个第一凹部;
上盖,其设置于所述第一表面之上;
一个或多个第一空腔,所述一个或多个第一空腔中的每一者由所述上盖与所述一个或多个第一凹部界定;以及
一个或多个第二空腔,所述一个或多个第二空腔中的每一者由所述第二表面、所述一个或多个导电突出部以及所述载板共同界定;
其中所述集成电路装置还包括设置于所述上盖之上的薄膜体,其中所述薄膜体经配置以对所述一个或多个第一空腔和所述一个或多个第二空腔进行密封保护;
其中所述一个或多个第一空腔的至少一者中设置有第一叉指换能器结构,所述第一叉指换能器结构设置于所述第一凹部之上。
2.根据权利要求1所述的集成电路装置,其中:所述上盖包括经配置以将所述上盖接合到所述第一表面的接合层。
3.根据权利要求2所述的集成电路装置,其中:所述接合层的材料为导电胶或非导电胶。
4.根据权利要求1所述的集成电路装置,其中:所述上盖的材料为以下群组中的一者:硅化合物、玻璃或硅。
5.根据权利要求4所述的集成电路装置,其中:所述硅化合物包括:二氧化硅或硅酸盐。
6.根据权利要求1所述的集成电路装置,其进一步包括:塑封体,其设置于所述薄膜体之上。
7.根据权利要求1所述的集成电路装置,其中:所述至少一个集成电路结构体为相互间隔开的多个集成电路结构体,所述薄膜体覆盖所述至少一个集成电路结构体。
8.根据权利要求6所述的集成电路装置,其中:所述至少一个集成电路结构体为相互间隔开的多个集成电路结构体,所述薄膜体以及所述塑封体覆盖所述至少一个集成电路结构体。
9.根据权利要求1所述的集成电路装置,其中:所述一个或多个第二空腔的至少一者中设置有第二叉指换能器结构。
10.根据权利要求9所述的集成电路装置,其中:所述第二表面具有一个或多个第二凹部,所述第二叉指换能器结构位于所述一个或多个第二凹部与所述导电突出部以及所述载板共同界定的所述一个或多个第二空腔。
11.根据权利要求1所述的集成电路装置,其中:所述载板为基板或框架。
12.根据权利要求1所述的集成电路装置,其中:所述载板为预包封互联系统基板或框架。
13.根据权利要求1所述的集成电路装置,其中:所述至少一个集成电路结构体是微波声波滤波器。
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