[发明专利]TFT器件及其制备方法

权利要求书

1.一种TFT器件，其特征在于，包括衬底、位于所述衬底上的遮光层、以及位于所述衬底与所述遮光层之间的折射层。

2.根据权利要求1所述的TFT器件，其特征在于，所述折射层包括阵列分布的反射块，所述反射块的一侧嵌设于所述衬底的内部，所述反射块的相对另一侧贴合于所述遮光层表面。

3.根据权利要求2所述的TFT器件，其特征在于，所述衬底表面形成有具有反射面的凹槽，所述凹槽内填充有金属钼，形成所述反射块。

4.根据权利要求2所述的TFT器件，其特征在于，所述反射块的截面形状为等腰三角形，且所述等腰三角形的顶角垂直插入所述衬底的内部，当外界光线照射到该等腰三角形的两腰上时，会发生全反射，将光线导出所述衬底。

5.根据权利要求4所述的TFT器件，其特征在于，所述反射块的垂直高度等于或小于所述遮光层的厚度。

6.根据权利要求2所述的TFT器件，其特征在于，所述反射块的截面形状为波浪线或锯齿形。

7.根据权利要求1所述的TFT器件，其特征在于，所述遮光层包括第一遮光层和第二遮光层，所述折射层包括第一折射层和第二折射层，其中，所述第一折射层位于所述第一遮光层与所述衬底之间，所述第二折射层位于所述第二遮光层与所述衬底之间，所述第一遮光层覆盖所述第一折射层，所述第二遮光层覆盖所述第二折射层。

8.根据权利要求7所述的TFT器件，其特征在于，所述第一遮光层和所述第二遮光层的厚度均为50nm至80nm范围内。

9.根据权利要求8所述的TFT器件，其特征在于，所述TFT器件还包括覆盖所述遮光层的缓冲层、位于所述缓冲层表面的有源层，所述有源层为U型，所述第一遮光层和所述第二遮光层分别对称分布在U型的两侧上，所述缓冲层和所述有源层侧面呈光滑过渡。

10.一种TFT器件的制备方法，其特征在于，包括：

步骤S10，提供一衬底，使用掩膜版通过曝光蚀刻工艺在所述衬底上制作凹槽，形成凹凸不平的粗化表面；

步骤S20，在所述凹槽内填充金属钼以形成折射层，其中，所述折射层包括阵列分布的反射块，所述反射块一端嵌设所述衬底的内部；

步骤S30，在所述折射层表面制备遮光层，且所述遮光层覆盖所述折射层。