[发明专利]TFT器件及其制备方法

说明书

本发明提供一种TFT器件及其制备方法、阵列基板，该TFT器件至少包括衬底、嵌设于衬底内的折射层、位于折射层表面的遮光层、覆盖遮光层的缓冲层以及位于缓冲层表面的有源层；折射层包括阵列分布的反射块，反射块一端嵌设衬底的内部，另一端贴合于遮光层表面，反射块内填充有金属钼，当外界光线照射到反射块表面时，会发生全反射，射出衬底，降低光透率同时增强反射面光反射，提高遮光能力，降低TFT光生漏电流。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT器件及其制备方法、阵列基板。

背景技术

薄膜晶体管阵列基板是平板显示装置的重要组成部分，可形成在玻璃基板或塑料基板上，通常作为开关装置和驱动装置用在如LCD显示装置与OLED显示装置中。

有源矩阵式薄膜晶体管TFT器件是像素电路的核心器件，由有源层、栅绝缘层、栅电极和源漏极构成。对于TFT器件，最核心起作用的是半导体有源层，目前主流的材料为非晶硅和多晶硅p-Si。其中，低温多晶硅薄膜晶体管LTPS-TFT具有制备温度低，载流子迁移率高，器件尺寸小等突出优点，是发展低功耗、高集成度显示面板的关键技术。

为抑制LTPS-TFT器件在光照条件下产生光生电流，避免TFT自动开启，目前主流的技术手段是在制作LTPS-TFT之前沉积一层钼金属薄膜，通过曝光、显影、蚀刻等工艺将金属薄膜图形化，形成LTPS-TFT沟道遮光层，为保证非金属膜层的台阶覆盖性，遮光层一般只有500～800埃，在强光照射下仍有部分光可以穿过照射到多晶硅上，导致光生漏电流的技术问题。

发明内容

本发明实施例提供一种TFT器件及其制备方法，能够解决现有技术中制作LTPS-TFT之前沉积一层钼金属薄膜，通过曝光、显影、蚀刻等工艺将金属薄膜图形化，形成LTPS-TFT沟道遮光层，为保证非金属膜层的台阶覆盖性，遮光层一般只有500～800埃，在强光照射下仍有部分光可以穿过照射到多晶硅上，导致光生漏电流的技术问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明实施例提供一种TFT器件，包括衬底、位于所述衬底上的遮光层、以及位于所述衬底与所述遮光层之间的折射层。

根据本发明一优选实施例，所述折射层包括阵列分布的反射块，所述反射块的一侧嵌设于所述衬底的内部，所述反射块的相对另一侧贴合于所述遮光层表面。

根据本发明一优选实施例，所述衬底表面形成有具有反射面的凹槽，所述凹槽内填充有金属钼，形成所述反射块。

根据本发明一优选实施例，所述反射块的截面形状为等腰三角形，且所述等腰三角形的顶角垂直插入所述衬底的内部，当外界光线照射到该等腰三角形的两腰上时，会发生全反射，将光线导出所述衬底。

根据本发明一优选实施例，所述反射块的垂直高度等于或小于所述遮光层的厚度。

根据本发明一优选实施例，所述反射块的截面形状为波浪线或锯齿形。

根据本发明一优选实施例，所述遮光层包括第一遮光层和第二遮光层，所述折射层包括第一折射层和第二折射层，其中，所述第一折射层位于所述第一遮光层与所述衬底之间，所述第二折射层位于所述第二遮光层与所述衬底之间，所述第一遮光层覆盖所述第一折射层，所述第二遮光层覆盖所述第二折射层。

根据本发明一优选实施例，所述第一遮光层和所述第二遮光层的厚度均为50nm至80nm范围内。

根据本发明一优选实施例，所述TFT器件还包括覆盖所述遮光层的缓冲层、位于所述缓冲层表面的有源层，所述有源层为U型，所述第一遮光层和所述第二遮光层分别对称分布在U型的两侧上，所述缓冲层和所述有源层侧面呈光滑过渡。

依据上述TFT器件，本发明还提供一种TFT器件的制备方法，包括：