[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 202010973170.3 | 申请日: | 2020-09-16 |
公开(公告)号: | CN112038389A | 公开(公告)日: | 2020-12-04 |
发明(设计)人: | 秦成杰;陈善韬;曹方旭;孙韬;张嵩;洪瑞;张子予 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/00;H01L51/52;H01L21/77 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 解婷婷;曲鹏 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,包括:彼此隔开的多个像素岛区、多个孔区和连接多个所述像素岛区的连接桥区,所述孔区包括基底和封装层,所述基底上设置有开孔,所述基底靠近所述开孔一侧还设置有隔挡结构,所述封装层覆盖所述基底靠近所述开孔一侧。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于:所述隔挡结构设置为隔挡槽,所述隔挡槽的开口朝向所述开孔,所述隔挡槽内的封装层的厚度小于所述隔挡槽外的封装层厚度,或者所述隔挡槽内的封装层不连续。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于:所述孔区还包括设置于所述基底上的复合绝缘层,所述封装层覆盖所述复合绝缘层,所述复合绝缘层包括朝向所述开孔的第一端面,所述基底包括叠设的第一阻挡层、缓冲层和第二阻挡层,所述第一阻挡层包括朝向所述开孔的第二端面,所述缓冲层包括朝向所述开孔的第三端面,所述第二阻挡层包括朝向所述开孔的第四端面;
在平行于所述基底的方向上,所述第二端面和所述第四端面与所述第一端面之间的距离小于所述第三端面与所述第一端面之间的距离,所述第三端面设置为所述隔挡槽的槽底,所述第一阻挡层和第二阻挡层相对的表面设置为所述隔挡槽的侧壁。
4.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述基底还包括第一柔性基底层和第二柔性基底层,所述第一柔性基底层设置于所述第一阻挡层远离所述缓冲层的一侧,所述第二柔性基底层设置于所述第二阻挡层远离所述缓冲层一侧,所述第一柔性基底层包括朝向所述开孔的第五端面,所述第二柔性基底层包括朝向所述开孔的第六端面;
在平行于所述基底的方向上,所述第五端面和所述第六端面与所述第一端面之间的距离大于所述第二端面和所述第四端面与所述第一端面之间的距离,小于所述第三端面与所述第一端面之间的距离。
5.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,所述第五端面与所述第六端面平齐,所述第二端面和所述第三端面平齐。
6.根据权利要求2-5任一项所述的显示基板,其特征在于:在垂直于所述基底的平面内,所述隔挡槽的深度为0.2微米到2微米,所述隔挡槽的宽度为0.2微米到2微米。
7.根据权利要求2-5任一项所述的显示基板,其特征在于:在垂直于所述基底的平面内,所述隔挡槽的宽度小于或等于所述隔挡槽外的所述封装层的厚度。
8.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于:所述隔挡结构设置为隔挡檐,所述隔挡檐延伸至所述开孔内,所述隔挡檐设置为与刚性衬底之间形成凹槽结构,所述凹槽结构内的封装层厚度小于所述凹槽结构外的封装层的厚度,或者所述凹槽结构内的封装层不连续。
9.根据权利要求8所述的显示基板,其特征在于:所述基底包括缓冲层和设置于所述缓冲层上的第一阻挡层,所述第一阻挡层延伸至所述开孔内并凸出所述缓冲层,形成屋檐结构,所述隔挡檐包括所述第一阻挡层凸出所述缓冲层的部分。
10.根据权利要求9所述的显示基板,其特征在于:所述第一阻挡层凸出所述缓冲层的长度为0.2微米到2微米,所述缓冲层的厚度为0.2微米到2微米。
11.根据权利要求8所述的显示基板,其特征在于:所述显示基板还包括有机发光层和阴极层,所述孔区的有机发光层和阴极层部分设置于所述隔挡檐上。
12.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-11任一项所述的显示基板。
13.一种显示基板的制备方法,其特征在于:包括:
在基底上形成彼此隔开的多个像素岛区、多个孔区和连接多个所述像素岛区的连接桥区,所述孔区的基底开设有开孔,所述基底靠近开孔的一侧还设置有隔挡结构;
形成封装层,所述封装层覆盖所述基底靠近所述开孔一侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的