[发明专利]竖直型非易失性存储器装置及其制造方法

权利要求书

1.一种竖直型非易失性存储器装置，包括：

衬底，其具有单元阵列区域和在第一方向上从所述单元阵列区域延伸的扩展区域，所述第一方向平行于所述衬底的顶表面延伸；

竖直接触件，其设置在所述扩展区域中的衬底上，并且在垂直于所述衬底的顶表面的竖直方向上延伸；

多个竖直沟道结构，其位于所述单元阵列区域中的衬底上，并且在所述竖直方向上延伸；

多个伪沟道结构，其位于所述扩展区域中的衬底上，并且在所述竖直方向上延伸，并且设置为邻近于所述竖直接触件；

多个栅电极层和多个层间绝缘层，所述多个栅电极层和所述多个层间绝缘层沿着所述多个竖直沟道结构和所述多个伪沟道结构的侧壁交替地堆叠在所述单元阵列区域和所述扩展区域中的衬底上；以及

电极焊盘，其连接至所述竖直接触件，

其中，在所述电极焊盘中，所述多个伪沟道结构中的第一伪沟道结构和第二伪沟道结构分别设置在所述竖直接触件在所述第一方向上的第一侧和第二侧，并且所述多个伪沟道结构中的每一个的水平横截面具有在第二方向上比在所述第一方向上更长的形状，所述第二方向平行于所述衬底的顶表面并且垂直于所述第一方向延伸。

2.根据权利要求1所述的竖直型非易失性存储器装置，其中，所述多个伪沟道结构中的每一个的水平横截面具有四方形、方括号形、圆括号形和哑铃形之一，其中，所述水平横截面的顶点部分被弯曲，并且

所述多个伪沟道结构的一些部分布置于在所述第一方向上穿过所述竖直接触件的线上。

3.根据权利要求2所述的竖直型非易失性存储器装置，还包括：多个附加电极焊盘和多个附加竖直接触件，其中，所述多个伪沟道结构中的每一个设置在在所述第一方向上彼此邻近的所述电极焊盘和所述多个附加电极焊盘中的两个电极焊盘之间的边界处。

4.根据权利要求1所述的竖直型非易失性存储器装置，还包括：附加电极焊盘，

其中，所述附加电极焊盘在所述第一方向上比所述电极焊盘更长，并且所述多个伪沟道结构中的附加伪沟道结构设置在所述附加电极焊盘中。

5.根据权利要求4所述的竖直型非易失性存储器装置，其中，所述附加伪沟道结构设置在彼此邻近的所述电极焊盘与所述附加电极焊盘之间的边界处。

6.根据权利要求4所述的竖直型非易失性存储器装置，其中，所述附加伪沟道结构的水平横截面的形状与所述多个伪沟道结构中的每一个的水平横截面的形状相同。

7.根据权利要求1所述的竖直型非易失性存储器装置，其中，所述多个伪沟道结构中的每一个包括半导体材料。

8.根据权利要求1所述的竖直型非易失性存储器装置，还包括：在所述第一方向上延伸并且在所述第二方向上划分所述多个栅电极层的划分区域，

所述多个栅电极层和所述多个层间绝缘层中的每一个沿着所述第二方向的竖直横截面在所述扩展区域中具有阶梯结构，

所述多个伪沟道结构中的每一个与所述划分区域之间在所述第二方向上的距离在第一设定范围内，并且

所述多个伪沟道结构中的两个伪沟道结构之间在跨过所述竖直接触件的对角线方向上的最大距离在第二设定范围内。