[发明专利]竖直型非易失性存储器装置及其制造方法

说明书

提供了一种竖直型非易失性存储器装置及其制造方法，该竖直型非易失性存储器装置包括：衬底，其具有块单元的单元阵列区域和扩展区域；竖直接触件，其设置在扩展区域中；多个竖直沟道结构，其设置在在单元阵列区域中的衬底上；多个伪沟道结构，其设置在扩展区域中的衬底上；以及多个栅电极层和多个层间绝缘层，其交替地堆叠在衬底上。在连接至竖直接触件的电极焊盘中，伪沟道结构设置在竖直接触件的两侧，并且多个伪沟道结构中的每一个的水平横截面具有在一个方向上更长的形状。

相关申请的交叉引用

要求于2019年12月26日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0175495的优先权，该申请的全部内容以引用方式全文并入本文中。

技术领域

本发明构思涉及非易失性存储器装置及其制造方法，并且更具体地说，涉及具有增大集成度的竖直沟道结构的非易失性存储器装置及其制造方法。

背景技术

近来，在电子装置中对非易失性存储器装置的使用显著增加。例如，MP3播放器、数码相机、便携式电话、摄像机、闪存卡和固态盘(SSD)通常包括非易失性存储器作为存储装置。在不同类型的非易失性存储器中，闪速存储器具有一次一个单元地电擦除数据的功能，并且比硬盘驱动器更为广泛地用作存储装置。近来，鉴于对增大的存储容量的需求，需要一种更有效地使用闪速存储器的存储空间的方法。因此，作为利用平面晶体管结构的替代，已经开发了具有竖直晶体管结构的非易失性存储器装置。

发明内容

本发明构思的实施例提供了一种具有提高的可靠性和集成度的竖直型非易失性存储器装置，以及一种制造该竖直型非易失性存储器装置的方法。

本发明构思的实施例提供了一种竖直型非易失性存储器装置，该装置包括：衬底，其具有单元阵列区域和在第一方向上从单元阵列区域延伸的扩展区域，第一方向平行于衬底的顶表面延伸；竖直接触件，其设置在扩展区域中的衬底上，并且在垂直于衬底的顶表面的竖直方向上延伸；多个竖直沟道结构，其位于在单元阵列区域中的衬底上，并且在竖直方向上延伸；多个伪沟道结构，其位于在扩展区域中的衬底上，并且在竖直方向上延伸，并且设置为邻近于竖直接触件；多个栅电极层和多个层间绝缘层，其沿着所述多个竖直沟道结构和所述多个伪沟道结构的侧壁交替地堆叠在单元阵列区域和扩展区域中的衬底上；以及电极焊盘，其连接至竖直接触件。在所述电极焊盘中，所述多个伪沟道结构中的第一伪沟道结构和第二伪沟道结构分别设置在竖直接触件在第一方向上的第一侧和第二侧，并且所述多个伪沟道结构中的每一个的水平横截面具有在第二方向上比在第一方向上更长的形状，第二方向平行于衬底的顶表面并且垂直于第一方向延伸。

本发明构思的实施例还提供一种竖直型非易失性存储器装置，该装置包括：衬底，其具有单元阵列区域和在第一方向上从单元阵列区域延伸的扩展区域，第一方向平行于衬底的顶表面延伸；竖直接触件，其设置在扩展区域中的衬底上，并且在垂直于衬底的顶表面的竖直方向上延伸；多个竖直沟道结构，其位于单元阵列区域中的衬底上，并且在竖直方向上延伸；多个伪沟道结构，其位于扩展区域中的衬底上，并且在竖直方向上延伸，并且设置为邻近于竖直接触件；多个栅电极层和多个层间绝缘层，其沿着所述多个竖直沟道结构和所述多个伪沟道结构的侧壁交替地堆叠在单元阵列区域和扩展区域中的衬底上；以及电极焊盘，其连接至竖直接触件。在所述电极焊盘中，所述多个伪沟道结构分别相对于竖直接触件设置在四方形的顶点位置，并且竖直接触件位于所述多个伪沟道结构之间，并且所述多个伪沟道结构中的每一个的水平横截面为顶点部分被弯曲的梯形形状。