[发明专利]厚膜电阻可靠性测试结构及测试方法

权利要求书

1.一种厚膜电阻可靠性测试结构，其特征在于，包括：

利用厚膜工艺将电极与厚膜电阻体分别印刷、烧结在绝缘基板上而形成厚膜电阻；其中，所述厚膜电阻体连接在两个所述电极之间；

所述绝缘基板粘接在封装管壳内，所述封装管壳设有引脚，所述引脚利用键合丝连接所述电极；所述封装管壳安装有盖板，所述盖板与封装管壳配合形成密封结构。

2.根据权利要求1所述的厚膜电阻可靠性测试结构，其特征在于，所述引脚至少为四个，每个所述电极连接至少两个引脚。

3.根据权利要求1或2所述的厚膜电阻可靠性测试结构，其特征在于，所述键合丝为金丝或铝丝。

4.根据权利要求1所述的厚膜电阻可靠性测试结构，其特征在于，所述绝缘基板、电极、厚膜电阻体与待评估的厚膜混合电路采用相同的材料与工艺制成。

5.根据权利要求1所述的厚膜电阻可靠性测试结构，其特征在于，所述绝缘基板为Al₂O₃陶瓷基片。

6.根据权利要求1所述的厚膜电阻可靠性测试结构，其特征在于，所述电极由银钯浆料印刷烧结而成。

7.根据权利要求1所述的厚膜电阻可靠性测试结构，其特征在于，所述厚膜电阻体由电阻浆料印刷烧结而成。

8.根据权利要求1所述的厚膜电阻可靠性测试结构，其特征在于，还包括：激光修调装置，用于激光微调厚膜电阻的阻值直到调整至预设阻值为止。

9.一种采用权利要求1至8中任一所述厚膜电阻可靠性测试结构的测试方法，其特征在于，包括：

步骤S1，将相同工艺和相同批次的厚膜电阻可靠性测试结构样品编号、分组，且记录每个样品厚膜电阻的初始值；

步骤S2，将分组的样品进行不同应力水平下的可靠性测试，间隔预设时间或次数后取出相应数量的样品测量并记录其厚膜电阻值；

步骤S3，根据每个所述样品的厚膜电阻值，拟合分析该样品的厚膜电阻值得到退化轨迹模型；

步骤S4，基于所述退化轨迹模型，以厚膜电阻值预设漂移值为失效阈值，根据所述退化轨迹模型计算厚膜电阻达到失效阈值的时间得到该样品的伪寿命数据；

步骤S5，分析所述厚膜电阻的伪寿命数据确定样品伪寿命的统计分布类型与寿命分布函数；依据所述统计分布类型与寿命分布函数计算所述样品在不同温度应力水平下的平均寿命；

步骤S6，利用不同温度应力水平下的平均寿命拟合建模，基于阿伦尼斯模型计算厚膜电阻在正常温度应力水平下的可靠性数据，完成厚膜电阻在温度应力下的可靠性测试。

10.根据权利要求9所述的厚膜电阻可靠性测试方法，其特征在于，还包括：更改可靠性试验应力类型完成厚膜电阻在不同类型应力下的可靠性测试。