[发明专利]厚膜电阻可靠性测试结构及测试方法在审
申请号: | 202010975945.0 | 申请日: | 2020-09-16 |
公开(公告)号: | CN112067931A | 公开(公告)日: | 2020-12-11 |
发明(设计)人: | 吴兆希;罗俊;林震;谭骁洪;罗雨薇;胡剑 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
主分类号: | G01R31/00 | 分类号: | G01R31/00;G01R27/02 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 代玲 |
地址: | 400060 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电阻 可靠性 测试 结构 方法 | ||
本发明提供一种厚膜电阻可靠性测试结构及测试方法,该结构包括:利用厚膜工艺将电极与厚膜电阻体分别印刷、烧结在绝缘基板上而形成的厚膜电阻;其中,所述厚膜电阻体连接在两个所述电极之间;所述绝缘基板粘接在封装管壳内,所述封装管壳设有引脚,所述引脚利用键合丝连接所述电极;所述封装管壳安装有盖板,所述盖板与封装管壳配合形成密封结构。本发明的厚膜电阻可靠性测试结构设计简单、制作和使用方便,能够快速、准确测量不同类型应力、不同应力水平下的厚膜电阻的可靠性,具有评估效率高、适用范围广的优点。
技术领域
本发明涉及厚膜混合集成电路领域,特别是涉及一种厚膜电阻可靠性测试结构及测试方法。
背景技术
厚膜混合集成电路具有体积小、重量轻、可靠性高的特点,经过多年的发展,已广泛应用于各型装备的电路系统中,而厚膜电阻是厚膜混合电路中最重要的元件之一。
然而,厚膜电阻作为厚膜混合集成电路重要元样品之一,缺乏对厚膜电阻的可靠性测试方法及装置,导致后续的厚膜混合集成电路可靠性受到很大影响。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种厚膜电阻可靠性测试结构及测试方法,用于解决现有技术中无法测量厚膜电阻可靠性的问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本发明提供一种厚膜电阻可靠性测试结构,包括:
利用厚膜工艺将电极与厚膜电阻体分别印刷、烧结在绝缘基板上而形成的厚膜电阻;其中,所述厚膜电阻体连接在两个所述电极之间;
所述绝缘基板粘接在封装管壳内,所述封装管壳设有引脚,所述引脚利用键合丝连接所述电极;所述封装管壳安装有盖板,所述盖板与封装管壳配合形成密封结构。
于本发明的一实施例中,所述引脚至少为四个,每个所述电极连接至少两个引脚。
其中,采用四线制方法可以准确测量出厚膜电阻的微小变化,能够更准确地得到厚膜电阻的退化轨迹,提高厚膜电阻可靠性评估的准确性。
本发明提供的另一种厚膜电阻可靠性测试方法,包括:
步骤S1,将相同工艺和相同批次的厚膜电阻可靠性测试结构样品编号、分组,且记录每个样品厚膜电阻的初始值;
步骤S2,将分组的样品进行不同应力水平下可靠性测试,间隔预设时间或次数后取出相应数量的样品测量并记录其厚膜电阻值;
步骤S3,根据每个所述样品的厚膜电阻值,拟合分析该样品的厚膜电阻值得到退化轨迹模型;
步骤S4,基于所述退化轨迹模型,以厚膜电阻值预设漂移值为失效阈值,根据所述退化轨迹模型计算厚膜电阻达到失效阈值的时间得到该样品的伪寿命数据;
步骤S5,分析所述厚膜电阻的伪寿命数据确定样品伪寿命的统计分布类型与寿命分布函数;依据所述统计分布类型与寿命分布函数计算所述样品在不同温度应力水平下的平均寿命;
步骤S6,利用不同温度应力水平下的平均寿命拟合建模,基于阿伦尼斯模型计算厚膜电阻在正常温度应力水平下的可靠性数据,完成厚膜电阻在温度应力下的可靠性测试。
如上所述,本发明的厚膜电阻可靠性测试结构及测试方法,具有以下有益效果:
本发明的厚膜电阻可靠性测试结构设计简单、制作方便、使用方便,能够快速、准确测量不同类型应力、不同应力水平下的厚膜电阻的可靠性,具有评估效率高、适用范围广的优点。
附图说明
图1显示为本发明一实施例提供的一种厚膜电阻可靠性测试结构示意图;
图2显示为本发明一实施例提供的一种厚膜电阻可靠性测试方法流程图;
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