[发明专利]层叠陶瓷电子部件及其制造方法

说明书

本发明是层叠陶瓷电子部件及其制造方法，该层叠陶瓷电子部件具有：层叠体，包括在层叠方向上相对的两主面、在与层叠方向正交的宽度方向上相对的两侧面、和在与层叠方向以及宽度方向正交的长度方向上相对的两端面；和外部电极，配置在两端面上。具备：准备多个层叠体的工序；经由粘合构件堆叠多个层叠体的工序；使多个层叠体以长度方向为旋转轴转动90度，形成侧方间隙部的工序；和从形成了侧方间隙部的层叠体除去粘合构件的工序。设层叠陶瓷电子部件的层叠方向的长度为T尺寸并设宽度方向的长度为W尺寸时，T尺寸小于W尺寸。

技术领域

本发明涉及层叠陶瓷电子部件的制造方法以及层叠陶瓷电子部件，特别地，涉及薄型的层叠陶瓷电子部件的制造方法以及薄型的层叠陶瓷电子部件。

背景技术

层叠陶瓷电子部件之一有层叠陶瓷电容器。这样的层叠陶瓷电容器包括层叠体以及外部电极。层叠体在一个主面具有第1主面，在另一主面具有第2主面，在一个侧面具有第1侧面，在另一侧面具有第2侧面，在一个端面具有第1端面，在另一端面具有第2端面。外部电极具有第1外部电极以及第2外部电极。

在层叠体，包括陶瓷层以及内部电极层。内部电极层具有第1内部电极层以及第2内部电极层。第1内部电极层与第2内部电极层交替地层叠，并且第1内部电极层从第1端面向外部突出，且与形成在第1端面侧的第1外部电极连接，第2内部电极层从第2端面向外部突出，且与形成在第2端面侧的第2外部电极连接。

在从第1主面到内部电极层之间、第1内部电极层与第2内部电极层之间、以及从第2内部电极层到第2主面之间，形成有陶瓷层。

在此，设第1侧面以及第2侧面的长轴方向为L方向，设短轴方向为T方向，设与L方向以及T方向分别正交的方向为W方向，设L方向的尺寸为L尺寸，以及设T方向的尺寸为T尺寸，设W方向的尺寸为W尺寸。

近年来，IC、LSI的高功能化、高集成化、特性提高正日益推进，但另一方面，半导体基板的安装面积正日益变窄。在这样的状况下，多在半导体基板的表面或其内部安装层叠陶瓷电容器。这样，如果在半导体基板的内部安装层叠陶瓷电容器，则能够通过削减半导体基板的安装面积、使电路的环路阻抗(loop impedance)下降来使电路的特性提高。

而且，在将层叠陶瓷电容器安装于半导体基板的内部的情况下，为了使半导体基板的厚度薄，多使用相对于W尺寸而言T尺寸较小的薄型的层叠陶瓷电容器。

另一方面，作为层叠陶瓷电容器，在日本特开2017-188559号公报中，公开了在第1侧面以及第2侧面形成有侧方间隙(side gap)的层叠陶瓷电容器。

在日本特开2017-188559号公报的图8至图11中，公开了通过以下说明的方法形成侧方间隙，制造层叠陶瓷电容器的方法。即，首先，从通过粘着片和作用板按压层叠小片的状态起，在与层叠小片的端面垂直的方向上使作业板移动，从而使层叠小片转动90°，使其在层叠小片的一个侧面与粘着片粘接，由此，在层叠小片的一个侧面形成侧方间隙。然后，使在一个侧面形成了侧方间隙的层叠小片进一步旋转180°，使其在层叠小片的另一侧面与粘着片粘接，由此，在层叠小片的另一侧面也形成了侧方间隙。

然而，日本特开2017-188559号公报所记载的侧方间隙的形成方法中，在相对于W尺寸而言T尺寸较小的薄型的层叠小片的情况下，难以使其进行如上述那样的转动，因而日本特开2017-188559号公报所公开的方法中，存在难以在一个侧面以及另一侧面形成侧方间隙这样的问题点。

发明内容

因此，本发明的主要目的在于，提供即使在制造薄型的层叠陶瓷电子部件的情况下，也能够更容易地在两侧面形成侧方间隙的层叠陶瓷电子部件的制造方法。

此外，提供通过在两侧面形成侧方间隙，从而抗弯曲能力更强的薄型的层叠陶瓷电容器。