[发明专利]电子装置及其制造方法

权利要求书

1.一种电子装置，该电子装置包括：

第一导线，所述第一导线在第一方向上延伸；

第二导线，所述第二导线布置在所述第一导线上方并在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；

存储器单元，所述存储器单元在所述第一导线和所述第二导线之间的交叉区域中布置于所述第一导线和所述第二导线之间；以及

衬层，所述衬层被配置为在所述第一方向和所述第二方向上围绕所述存储器单元，所述衬层包括势阱。

2.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述衬层包括具有不同能带隙的多个层。

3.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述衬层具有包括顺序地层叠的第一层、第二层和第三层的多层结构，并且其中，所述第二层具有比所述第一层的能带隙和所述第三层的能带隙小的能带隙。

4.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述衬层具有包括顺序地层叠的第一层、第二层和第三层的多层结构，并且其中，所述第一层和所述第三层各自包含金属氧化物并且所述第二层包含半导体氮化物。

5.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述衬层具有包括顺序地层叠的第一层、第二层和第三层的多层结构，并且其中，所述第一层和所述第三层各自包含氧化铪层并且所述第二层包含亚硝酸硅层。

6.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述衬层的一部分延伸至所述第一导线在所述第二方向上的两个侧壁，并且延伸至所述第二导线在所述第一方向上的两个侧壁。

7.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述存储器单元包括可变电阻材料。

8.一种电子装置，该电子装置包括：

多条第一导线，所述多条第一导线在第一方向上延伸；

多条第二导线，所述多条第二导线布置在所述多条第一导线上方并在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；

多个存储器单元，所述多个存储器单元布置在所述多条第一导线和所述多条第二导线之间的交叉处；

第一衬层，所述第一衬层形成在所述多个存储器单元中的每一个在所述第二方向上的两个侧壁上；以及

第二衬层，所述第二衬层形成在所述多个存储器单元中的每一个在所述第一方向上的两个侧壁上，

其中，所述第一衬层和所述第二衬层中的每一者包括具有不同能带隙的多个层。

9.根据权利要求8所述的电子装置，该电子装置还包括层间绝缘层，所述层间绝缘层填充所述第一导线、所述第二导线和所述存储器单元之间的区域，

其中，所述层间绝缘层具有比所述第一衬层和所述第二衬层中的每一者的最外层的能带隙大的能带隙。

10.根据权利要求9所述的电子装置，其中，所述第一衬层和所述第二衬层中的每一者具有包括顺序地层叠的第一层和第二层的多层结构，并且其中，所述第二层具有比所述第一层的能带隙和所述层间绝缘层的能带隙小的能带隙。

11.根据权利要求8所述的电子装置，其中，所述第一衬层和所述第二衬层中的每一者具有包括顺序地层叠的第一层、第二层和第三层的多层结构，并且其中，所述第二层具有比所述第一层的能带隙和所述第三层的能带隙小的能带隙。

12.根据权利要求8所述的电子装置，其中，所述第一衬层和所述第二衬层中的每一者具有包括顺序地层叠的第一层、第二层和第三层的多层结构，并且其中，所述第一层和所述第三层各自包含金属氧化物并且所述第二层包含半导体氮化物。

13.根据权利要求8所述的电子装置，其中，所述第一衬层和所述第二衬层中的每一者具有包括顺序地层叠的第一层、第二层和第三层的多层结构，并且其中，所述第一层和所述第三层各自包含氧化铪层并且所述第二层包括亚硝酸硅层。