[发明专利]电子装置及其制造方法

说明书

电子装置及其制造方法。电子装置可以包括第一导线、第二导线、存储器单元和衬层。第一导线可以在第一方向上延伸。第二导线可以布置在第一导线上方，并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸。存储器单元可以在第一导线和第二导线的交叉区域中布置于第一导线和第二导线之间。衬层可以被配置为在第一方向和第二方向上围绕存储器单元。衬层可以包括势阱。

技术领域

各种实施方式可以总地涉及半导体存储器电路或半导体存储器电路在半导体装置和电子装置中的应用。

背景技术

近来，随着对开发成更小的尺寸、低功耗和多样化的电子装置的需求增加，可能需要研究和改进被配置为在诸如计算机、便携式通信装置等的电子装置中存储信息的半导体装置。

半导体装置可以包括各自被配置为使用根据施加的电压或电流从不同的电阻状态出现的开关特性来存储数据的电阻随机存取存储器(RRAM)、相变随机存取存储器(PRAM)、铁电随机存取存储器(FRAM)、磁随机存取存储器(MRAM)、电熔丝等。

发明内容

示例实施方式提供了一种可以包括具有提高的可靠性的半导体存储器的电子装置。

示例实施方式还提供一种制造上述电子装置的方法。

在本公开的示例实施方式中，电子装置可以包括：第一导线，其在第一方向上延伸；第二导线，其布置在第一导线上方并在与第一方向交叉的第二方向上延伸；存储器单元，其在第一导线和第二导线之间的交叉区域中布置于第一导线和第二导线之间；以及衬层(liner layer)，其被配置为在第一方向和第二方向上围绕存储器单元，衬层包括势阱(potential well)。

在示例实施方式中，衬层可以包括具有不同能带隙的多个层。

在示例实施方式中，衬层可以具有包括顺序地层叠的第一层、第二层和第三层的多层结构，并且其中，第二层可以具有比第一层的能带隙和第三层的能带隙小的能带隙。

在示例实施方式中，衬层可以具有包括顺序地层叠的第一层、第二层和第三层的多层结构，并且其中，第一层和第三层各自包含金属氧化物，而第二层包含半导体氮化物。

在示例实施方式中，衬层可以具有包括顺序地层叠的第一层、第二层和第三层的多层结构，并且其中，第一层和第三层各自包含氧化铪层，而第二层包含亚硝酸硅层。

在示例实施方式中，衬层的一部分可以延伸至第一导线在第二方向上的两个侧壁，并且延伸至第二导线在第一方向上的两个侧壁。

在示例实施方式中，存储器单元可以包括可变电阻材料。

在本公开的示例实施方式中，一种电子装置可以包括：多条第一导线，其在第一方向上延伸；多条第二导线，其布置在多条第一导线上方并在与第一方向交叉的第二方向上延伸；多个存储器单元，其布置在多条第一导线和多条第二导线之间的交叉处；第一衬层，其形成在多个存储器单元中的每个在第二方向上的两个侧壁上；以及第二衬层，其形成在多个存储器单元中的每个在第一方向上的两个侧壁上。第一衬层和第二衬层中的每个可以包括具有不同能带隙的多个层。电子装置可以还包括层间绝缘层，其填充第一导线、第二导线和存储器单元之间的区域。层间绝缘层可以具有大于第一衬层和第二衬层中的每个中的最外层的能带隙的能带隙。第一衬层和第二衬层中的每个可以具有包括顺序地层叠的第一层和第二层的多层结构，并且其中，第二层可以具有比第一层的能带隙和层间绝缘层的能带隙小的能带隙。

在示例实施方式中，第一衬层和第二衬层中的每个可以具有包括顺序地层叠的第一层、第二层和第三层的多层结构，并且其中，第二层可以具有比第一层的能带隙和第三层的能带隙小的能带隙。

在示例实施方式中，第一衬层和第二衬层中的每个可以具有包括顺序地层叠的第一层、第二层和第三层的多层结构，并且其中，第一层和第三层各自可以包含金属氧化物，而第二层可以包含半导体氮化物。