[发明专利]晶体的镀膜方法

权利要求书

1.一种晶体的镀膜方法，其特征在于，所述晶体的镀膜方法包括：

沿着预设切割轮廓(400)，利用激光(200)从基片(100)上表面入射在基片(100)内部进行改质切割，得到第一中间产物；

对第一中间产物的上表面和/或下表面进行镀膜，得到第二中间产物；

沿着预设切割轮廓(400)，利用激光(200)在第二中间产物上表面进行划切操作，对晶圆进行裂片处理，从而将目标产物与边角料分离；

所述基片(100)的下表面包括与所述基片(100)的上表面平行的第一面(110)，所述基片(100)的下表面还包括沿第一方向延伸的第二面(120)，所述第一面(110)和第二面(120)相接，且沿所述第一面(110)朝向第二面(120)方向，所述第二面(120)到所述基片(100)的上表面之间的距离逐渐减小；

所述第一面(110)和第二面(120)相接的棱形成定位棱(130)；

所述预设切割轮廓(400)包括圆弧(410)和线段(420)，所述线段(420)的一端与所述圆弧(410)的一端连接，所述线段(420)的另一端与所述圆弧(410)的另一端连接；

且所述线段(420)与所述定位棱(130)平行。

2.根据权利要求1所述的晶体的镀膜方法，其特征在于，所述目标产物的横截面积小于基片(100)的表面积，所述第一中间产物上具有多个不重叠的预设切割轮廓(400)。

3.根据权利要求1所述的晶体的镀膜方法，其特征在于，所述晶体的镀膜方法包括在所述沿着预设切割轮廓(400)，利用激光(200)从基片(100)上表面入射在基片(100)内部进行改质切割，得到第一中间产物的步骤前进行的步骤：

采集基片(100)下表面的图像并识别定位棱(130)，以定位棱(130)为基线，以使预设切割轮廓(400)的线段(420)与所述定位棱(130)平行。

4.根据权利要求3所述的晶体的镀膜方法，其特征在于，所述目标产物的圆弧(410)直径为1-4mm，所述目标产物的厚度为0.5-1.5mm。

5.根据权利要求4所述的晶体的镀膜方法，其特征在于，所述线段(420)与定位棱(130)之间的距离公差±0.005mm。

6.根据权利要求1所述的晶体的镀膜方法，其特征在于，所述第二面(120)通过单面抛光形成。

7.根据权利要求1所述的晶体的镀膜方法，其特征在于，所述基片(100)的重心位于所述第一面(110)和所述基片(100)的上表面之间，避免所述基片(100)以定位棱(130)为支点进行翻转，以使第二面(120)与支撑面接触。

8.根据权利要求1所述的晶体的镀膜方法，其特征在于，所述沿着预设切割轮廓(400)，利用激光(200)在第二中间产物上表面进行划切操作，对晶圆进行裂片处理，从而将目标产物与边角料分离的步骤中：

采用二氧化碳激光(200)对预设切割轮廓(400)裂片。

9.根据权利要求1所述的晶体的镀膜方法，其特征在于，所述沿着预设切割轮廓(400)，利用激光(200)从基片(100)上表面入射在基片(100)内部进行改质切割，得到第一中间产物的步骤中：

利用直径为1-2um的激光(200)切割出预设切割轮廓(400)。