[发明专利]晶体的镀膜方法

说明书

本发明提供了一种晶体的镀膜方法，涉及光学元件加工的技术领域，晶体的镀膜方法包括：沿着预设切割轮廓，利用激光从基片上表面入射在基片内部进行改质切割，得到第一中间产物；对第一中间产物的上表面和/或下表面进行镀膜，得到第二中间产物；沿着预设切割轮廓，利用激光在第二中间产物上表面进行划切操作，对晶圆进行裂片处理，从而将目标产物与边角料分离。因为第一中间产物中的目标产物与边角料并没有分离，所以镀膜时，不会对目标产物的周向侧面产生污染，周向侧面不需要进行保护胶处理，更无需进行除胶处理了，简化了加工步骤。

技术领域

本发明涉及光学元件加工的技术领域，尤其是涉及一种晶体的镀膜方法。

背景技术

随着电子产业的高速发展，对精密光学元器件的加工精度表面质量，要求越来越高，光学用棱镜对性能的集成要求促使棱镜的形状向多边形，不规则的形状发展，因此突破传统的加工工艺，更加巧妙的设计加工流程至关重要。

现有的晶体的镀膜方法包括：将大片晶体分割成等面积的中片晶体，然后将多个中块晶体堆叠，并将相邻两个中片晶体利用胶水粘合；将堆叠的中片晶体再次分隔成多组等面积的堆叠的小片晶体；取其中一摞小片晶体，多小片晶体的周向侧面进行抛光，从而得到截面为圆形的小片晶体；解胶，将粘合的多片晶体分离；取其中一个小片晶体，在小片晶体的周向侧壁上涂抹保护胶；对小片晶体的正面和/或反面进行镀膜；去除小片晶体周向侧面的保护胶，得到最终产品。

现有的晶体镀膜加工方法需要对晶圆的周向侧壁进行涂胶保护，对于体积较小的晶圆而言，涂胶时很容易污染上下表面，并且操作不易，当晶体的正反面镀膜结束后，还需要将保护胶洗去，操作步骤繁琐。

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶体的镀膜方法，以缓解了现有的晶体镀膜操作繁琐的技术问题。

本发明实施例提供的一种晶体的镀膜方法，所述晶体的镀膜方法包括：

沿着预设切割轮廓，利用激光从基片上表面入射在基片内部进行改质切割，得到第一中间产物；

对第一中间产物的上表面和/或下表面进行镀膜，得到第二中间产物；

沿着预设切割轮廓，利用激光在第二中间产物上表面进行划切操作，对晶圆进行裂片处理，从而将目标产物与边角料分离。

进一步的，所述目标产物的横截面积小于基片的表面积，所述第一中间产物上具有多个不重叠的预设切割轮廓。

进一步的，所述基片的下表面包括与所述基片的上表面平行的第一面，所述基片的下表面还包括沿第一方向延伸的第二面，所述第一面和第二面相接，且沿所述第一面朝向第二面方向，所述第二面到所述基片的上表面之间的距离逐渐减小；

所述第一面和第二面相接的棱形成定位棱；

所述预设切割轮廓包括圆弧和线段，所述线段的一端与所述圆弧的一端连接，所述线段的另一端与所述圆弧的另一端连接；

且所述线段与所述定位棱平行。

进一步的，所述晶体的镀膜方法包括在所述沿着预设切割轮廓，利用激光从基片上表面入射在基片内部进行改质切割，得到第一中间产物的步骤前进行的步骤：

采集基片下表面的图像并识别定位棱，以定位棱为基线，以使预设切割轮廓的线段与所述定位棱平行。

进一步的，所述目标产物的圆弧直径为1-4mm，所述目标产物的厚度为0.5-1.5mm。

进一步的，所述线段与定位棱之间的距离公差±0.005mm。

进一步的，所述第二面通过单面抛光形成。

进一步的，所述基片的重心位于所述第一面和所述基片的上表面之间，避免所述基片以定位棱为支点进行翻转，以使第二面与支撑面接触。