[发明专利]一种阵列基板及显示面板有效
申请号: | 202010979470.2 | 申请日: | 2020-09-17 |
公开(公告)号: | CN112185984B | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
发明(设计)人: | 周菁 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G09F9/30 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 黄舒悦 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示 面板 | ||
本发明公开了一种阵列基板及显示面板。阵列基板包括从下至上依次层叠设置的衬底基板、缓冲层、驱动电路层、平坦层、阳极层、像素定义层以及支撑层。衬底基板的内部设有换线金属层,其底部设有绑定盲孔,绑定盲孔裸露在换线金属层的下表面用以在绑定盲孔内容置一芯片,该芯片与换线金属层的下表面绑定连接。本发明通过蚀刻过孔实现换线金属层与驱动电路层的栅极及源漏极电性连接,并在衬底基板底部设置用于容置芯片的绑定盲孔,换线金属层的下表面的焊盘从该绑定盲孔裸露出,实现芯片与换线金属层的焊盘绑定连接,进一步实现窄边框并减小了显示面板的整体厚度。
技术领域
本发明涉及显示技术邻域,特别涉及一种阵列基板及显示面板。
背景技术
目前用于电子产品的屏幕屏占比愈来愈大,全面屏已成为人们追逐的趋势。手机的四个边框位置都是采用无边框,力求接近100%的屏占比的设计能够提升了手机的颜值,让手机的看上去更有科技感,另外同样机身正面的面积可以容纳更大的屏幕,对于视觉体验有着显著的提升。
针对手机的窄边框化,本发明提出一种新型背板走线结构设计,以减少屏幕屏四周边框走线所占面积。通过打孔走线工艺将四周电路走线区域的导线通过打孔连通的方式引至面板背后,并在面板背面完成布线与集成电路芯片(IC)绑定(Bonding)连接,以此缩窄边框,使产品全面屏设计。
具体如图1所示,图1为现有技术中的一种显示面板的平面结构示意图。显示面板90包括显示区91及环绕显示区91设置的非显示区92,其中非显示区92包括位于显示区91左、右两侧的行驱动(GOA)区921以及位于显示区91下方的电源走线(VDD)区922、扇出(Fanout)区923及绑定区924,电源走线区922内的走线与行驱动区921的引线向下延伸至扇出区923及绑定区924,其中电源走线区922和扇出区923也同时作为弯折区93向显示面板90的背部弯折将绑定区924设于显示面板90的背部,将集成电路芯片94绑定连接在绑定区924内实现对显示面板90的显示及触控控制。但是,这样的结构会导致具有显示面板90的厚度为显示面板90的阵列基板和集成电路芯片94的厚度之和,导致整体厚度增大。
发明内容
本发明提供了一种阵列基板及显示面板以解决现有技术中集成电路芯片在被绑定连接在绑定区后弯折至显示面板的背部造成其厚度为显示面板的阵列基板和集成电路芯片的厚度之和,导致整体厚度增大的技术问题。
解决上述问题的技术方案是,本发明提供了一种阵列基板,设有显示区和换线区,其包括从下至上依次层叠设置的衬底基板、缓冲层、驱动电路层、平坦层、阳极层、像素定义层以及支撑层。
具体地讲,所述衬底基板的内部设有换线金属层,其底部设有绑定盲孔,所述绑定盲孔裸露所述换线金属层的下表面,所述绑定盲孔内用于容置一芯片,所述芯片与所述换线金属层的下表面绑定连接;所述缓冲层设于所述衬底基板上;所述驱动电路层设于所述缓冲层上,其包括从下至上依次层叠设置的有源层、第一栅极绝缘层、第一金属层、第二栅极绝缘层、第二金属层、层间绝缘层、第三金属层;其中,在所述显示区内,所述第一金属层包括栅极,所述第二金属层与所述栅极对应设置,所述第三金属层包括源漏极层;在所述换线区内,所述第一金属层包括第一换线顶层,所述第三金属层包括第二换线顶层,所述第一换线顶层和所述第二换线顶层均穿过一过孔与所述换线金属层电性连接;所述平坦层设于所述驱动电路层上;所述阳极层设于所述平坦层上;所述像素定义层设于所述阳极层上;所述支撑层设于所述像素定义层上。
进一步地,所述换线金属层在所述显示区内设有焊盘,所述焊盘从所述绑定盲孔裸露出并与所述芯片绑定连接;所述焊盘即为所述绑定盲孔裸露的所述换线金属层的下表面;所述换线金属层在所述换线区内设有第一换线底层和第二换线底层,所述第一换线顶层与所述第一换线底层对应设置并电性连接,所述第二换线顶层与所述第二换线底层对应设置并电性连接;所述焊盘包括多个衬垫,所述衬垫与所述第一换线底层和所述第二换线底层一一对应连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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