[发明专利]一种套刻标记、套刻标记方法及套刻测量方法在审
申请号: | 202010979691.X | 申请日: | 2020-09-17 |
公开(公告)号: | CN112034677A | 公开(公告)日: | 2020-12-04 |
发明(设计)人: | 杨国栋;刘辉;袁可 | 申请(专利权)人: | 合肥晶合集成电路有限公司 |
主分类号: | G03F1/42 | 分类号: | G03F1/42;G03F9/00 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 朱艳 |
地址: | 230012 安徽省合肥*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 标记 方法 测量方法 | ||
1.一种套刻标记方法,其特征在于,其至少包括以下步骤:
提供第一材料层;
在所述第一材料层上形成第一标记组,所述第一标记组为中心对称图形;
在所述第一材料层上形成第二材料层;
在所述第二材料层上形成与所述第一标记组对应的第二标记组,所述第二标记组为中心对称图形;所述第二标记组与所述第一标记组的对称中心位于同一垂直线上;
在所述第二材料层上形成第三材料层;
在所述第三材料层上形成与所述第一标记组和所述第二标记组对应的第三标记组,所述第三标记组为中心对称图形;所述第三标记组与所述第二标记组和所述第一标记组的对称中心位于同一垂直线上;三个所述标记组的设置方向包括第一方向和第二方向,所述第一方向和所述第二方向垂直,其中两个所述标记组的对应位置沿所述第一方向或所述第二方向并排设置。
2.根据权利要求1所述一种套刻标记方法,其特征在于,所述第一标记组包括至少四个第一子标记组,四个所述第一子标记组分别沿所述第一方向和所述第二方向布置。
3.根据权利要求2所述一种套刻标记方法,其特征在于,所述第二标记组包括至少四个第二子标记组,四个所述第二子标记组分别沿所述第一方向和所述第二方向布置,沿所述第一方向布置的所述第二子标记组与沿所述第一方向布置的所述第一子标记组对应。
4.根据权利要求3所述一种套刻标记方法,其特征在于,所述第三标记组包括至少四个第三子标记组,四个所述第三子标记组分别沿所述第一方向和所述第二方向布置,沿所述第一方向布置的所述第三子标记组与沿所述第一方向布置的所述第一子标记组和所述第二子标记组对应。
5.根据权利要求4所述一种套刻标记方法,其特征在于,所述第一子标记组包括多个第一标记;所述第二子标记组包括多个第二标记;所述第三子标记组包括多个第三标记。
6.根据权利要求5所述一种套刻标记方法,其特征在于,所述第一标记、所述第二标记及所述第三标记数量相同,且所述第一标记及所述第二标记的长度小于所述第三标记的长度。
7.根据权利要求5所述一种套刻标记方法,其特征在于,所述第一标记及所述第二标记的长度与所述第三标记的长度相同,且所述第一标记及所述第二标记的数量少于所述第三标记的数量。
8.根据权利要求1所述一种套刻标记方法,其特征在于,将所述第一标记组、所述第二标记组及所述第三标记组投影在同一平面时,所述第三标记组位于所述第二标记组及所述第三标记组的内侧。
9.一种套刻测量方法,其特征在于,其至少包括以下步骤:
提供第一材料层;
在所述第一材料层上形成第一标记组,所述第一标记组为中心对称图形;
在所述第一材料层上形成第二材料层;
在所述第二材料层上形成与所述第一标记组对应的第二标记组,所述第二标记组为中心对称图形;所述第二标记组与所述第一标记组的对称中心位于同一垂直线上;
在所述第二材料层上形成第三材料层;
在所述第三材料层上形成与所述第一标记组和所述第二标记组对应的第三标记组,所述第三标记组为中心对称图形;所述第三标记组与所述第二标记组和所述第一标记组的对称中心位于同一垂直线上;三个所述标记组的设置方向包括第一方向和第二方向,所述第一方向和所述第二方向垂直,其中两个所述标记组的对应位置沿所述第一方向或所述第二方向并排设置;
获取所述第一标记组、所述第二标记组及所述第三标记组相互之间的位移量数值;
根据所述位移量数值,判断所述第一材料层、所述第二材料层及所述第三材料层之间是否对准。
10.一种套刻标记,其特征在于,其包括:
第一标记组,其形成于所述第一材料层上,所述第一标记组为中心对称图形;
第二标记组,其形成于所述第二材料层上,且所述第二标记与所述第一标记对应设置,所述第二标记组为中心对称图形;
第三标记组,其形成于所述第三材料层上,且所述第三标记组与所述第一标记组和所述第二标记组对应设置,所述第三标记组为中心对称图形;
所述第一标记组、所述第二标记组及所述第三标记组的对称中心位于同一垂直线上,三个所述标记组的设置方向包括第一方向和第二方向,所述第一方向和所述第二方向垂直,其中两个所述标记组的对应位置沿所述第一方向或所述第二方向并排设置。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备