[发明专利]一种套刻标记、套刻标记方法及套刻测量方法

说明书

本发明公开一种套刻标记、套刻标记方法及套刻测量方法，其至少包括以下步骤：提供第一材料层；在第一材料层上形成第一标记组，第一标记组为中心对称图形；在第一材料层上形成第二材料层在所述第二材料层上形成与所述第一标记组对应的第二标记组，所述第二标记组为中心对称图形；所述第二标记组与所述第一标记组的对称中心位于同一垂直线上在所述第二材料层上形成第三材料层；在所述第三材料层上形成与所述第一标记组和所述第二标记组对应的第三标记组，所述第三标记组为中心对称图形；所述第三标记组与所述第二标记组和所述第一标记组的对称中心位于同一垂直线上。本发明解决了现有的三层套刻需要多个掩模版，且对准精度差，占用结构空间的问题。

技术领域

本发明属于半导体技术领域，特别是涉及一种套刻标记、套刻标记方法及套刻测量方法。

背景技术

套刻测试时半导体制造光刻过程中的一项基本工艺，是用以表征两个光刻层次叠对的好坏程度，其实现方法是在划片槽中放置特定的测试结构，使用套刻测试仪测定，最后根据测定数值的大小来判断套刻是否规范。

在现代集成电路制造工艺中，通常需要有一个光刻层次对准于前面的两个层次，标准的套刻量测工艺在多层对准上由于量测位置不同，量测结果精度不佳，在透镜观察下，标记在不同层的位置出现行为差异，这种差异会给套刻量的结果带来影响。另外，传统的套刻量测掩模版为一对一的叠对设计，多层对准时需多个掩模版进行套刻量测，占用较多的切割道使用空间，随着产品多样化及半导体产品层数的增多，切割道空间有限，需要优化掩模版才能节省更多的空间。

发明内容

本发明的目的在于提供一种套刻标记、套刻标记方法及套刻测量方法，解决了现有的三层套刻需要多个掩模版，且对准精度差，占用结构空间的问题。

为解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的：

本发明提供一种套刻标记方法，其至少包括以下步骤：

提供第一材料层；

在所述第一材料层上形成第一标记组，所述第一标记组为中心对称图形；

在所述第一材料层上形成第二材料层；

在所述第二材料层上形成与所述第一标记组对应的第二标记组，所述第二标记组为中心对称图形；所述第二标记组与所述第一标记组的对称中心位于同一垂直线上；

在所述第二材料层上形成第三材料层；

在所述第三材料层上形成与所述第一标记组和所述第二标记组对应的第三标记组，所述第三标记组为中心对称图形；所述第三标记组与所述第二标记组和所述第一标记组的对称中心位于同一垂直线上，三个所述标记组的设置方向包括第一方向和第二方向，所述第一方向和所述第二方向垂直，其中两个所述标记组的对应位置沿所述第一方向或所述第二方向并排设置。

在本发明的一个实施例中，所述第一标记组包括至少四个第一子标记组，四个所述第一子标记组分别沿第一方向和第二方向布置，所述第一方向和所述第二方向垂直。

在本发明的一个实施例中，所述第二标记组包括至少四个第二子标记组，四个所述第二子标记组分别沿所述第一方向和所述第二方向布置，沿所述第一方向布置的所述第二子标记组与沿所述第一方向布置的所述第一子标记组对应。

在本发明的一个实施例中，所述第三标记组包括至少四个第三子标记组，四个所述第三子标记组分别沿所述第一方向和所述第二方向布置，沿所述第一方向布置的所述第三子标记组与沿所述第一方向布置的所述第一子标记组和所述第二子标记组对应。

在本发明的一个实施例中，沿所述第一方向布置的两个子标记组沿所述第一方向的延伸方向并排设置。

在本发明的一个实施例中，沿所述第二方向布置的两个子标记组沿所述第二方向的延伸方向并排设置。