[发明专利]主动开关阵列基板、薄膜晶体管阵列基板的制造方法

权利要求书

1.一种主动开关阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

提供基板，并通过第一道光罩在基板上形成栅极；

沉积栅绝缘层覆盖所述栅极以及基板，并在所述栅绝缘层上方依次形成有源层以及金属层；

在所述金属层上涂布光阻，并通过第二道光罩图案化所述光阻，获得第一图案化光阻；

以所述第一图案化光阻为掩膜，对所述金属层进行第一次湿法刻蚀以去除所述第一图案化光阻外侧所露出的金属层，其中所述第一次湿法刻蚀所述金属层的持续时间为60-90秒；

第一次干法刻蚀所述第一图案化光阻，以获得第二图案化光阻并露出所述金属层上待形成源极以及漏极区域之间的区域，同时去除所述金属层外侧所露出的有源层、所述栅绝缘层；

以所述第二图案化光阻为掩膜，对所述金属层进行第二次湿法刻蚀以去除待形成源极以及漏极之间的区域，第二次湿法刻蚀形成所述源极和漏极并露出所述有源层；

以所述第二图案化光阻为掩膜，进行第二次干法刻蚀所述有源层以形成导电沟道；

去除所述第二图案化光阻、并完成第二绝缘层和电极层的制备。

2.根据权利要求1所述的主动开关阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第二次湿法刻蚀所述金属层的持续时间为60-85秒。

3.根据权利要求1或2所述的主动开关阵列基板的制造方法，其特征在于，所述有源层与金属层之间还形成有掺杂层，所述第二次干法刻蚀过程还包括：以所述第二图案化光阻为掩膜，刻蚀所述掺杂层以露出所述有源层。

4.根据权利要求1或3所述的主动开关阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第二次干法刻蚀过程中，所述有源层部分刻蚀，形成导电沟道。

5.根据权利要求1或3所述的主动开关阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第二绝缘层沉积覆盖所述源极、漏极、所述有源层和所述导电沟道以及所述基板。

6.根据权利要求5所述的主动开关阵列基板的制造方法，其特征在于，还包括：在所述第二绝缘层对应于所述源极或漏极上方刻蚀出过孔以露出所述源极或漏极。

7.根据权利要求6所述的主动开关阵列基板的制造方法，其特征在于，还包括：在所述第二绝缘层上沉积电极层并使所述电极层通过所述过孔与所述源极或漏极连接。

8.根据权利要求1所述的主动开关阵列基板的制造方法，其特征在于，所述主动开关阵列基板为薄膜晶体管阵列基板。

9.一种主动开关阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

提供基板，并通过第一道光罩在基板上形成栅极；

沉积栅绝缘层覆盖所述栅极以及基板，并在所述栅绝缘层上方依次形成有源层以及金属层；

在所述金属层上涂布光阻，并通过第二道光罩图案化所述光阻，获得第一图案化光阻；

以所述第一图案化光阻为掩膜，对所述金属层进行第一次湿法刻蚀以去除所述第一图案化光阻外侧所露出的金属层，其中所述第一次湿法刻蚀所述金属层的持续时间为60-90秒；

以所述第一图案化光阻为掩膜进行第一次干法刻蚀，以露出所述金属层上待形成源极以及漏极区域之间的区域；同时去除所述金属层外侧所露出的有源层、所述栅绝缘层；

以所述第二图案化光阻为掩膜，对所述金属层进行第二次湿法刻蚀以去除待形成源极以及漏极之间的区域，第二次湿法刻蚀形成所述源极和漏极并露出所述有源层；其中所述第二次湿法刻蚀所述金属层的持续时间为60-85秒；

干法刻蚀所述第二图案化光阻，使得所述所述第二图案化光阻体积缩小；

以所述体积缩小第二图案化光阻为掩膜，进行第二次干法刻蚀所述有源层以形成导电沟道；

去除所述第二图案化光阻、并完成第二绝缘层和电极层的制备。

10.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

提供基板，并通过第一道光罩工艺在基板上形成栅极；

沉积栅绝缘层覆盖所述栅极以及基板，并在所述栅绝缘层上方依次形成有源层、掺杂层以及金属层；

在所述金属层上涂布光阻，并通过第二道光罩图案化所述光阻，获得第一图案化光阻；

以所述第一图案化光阻为掩膜，对所述金属层进行第一次湿法刻蚀以去除所述第一图案化光阻外侧所露出的金属层，其中所述第一次湿法刻蚀所述金属层的持续时间为60～90秒；

第一次干法刻蚀所述第一图案化光阻，以获得第二图案化光阻；同时露出所述金属层上待形成源极以及漏极之间的区域；第一次干法刻蚀同时去除所述金属层外侧所露出的有源层、所述掺杂层、所述栅绝缘层；

以所述第二图案化光阻为掩膜，对所述金属层进行第二次湿法刻蚀，以去除待形成源极以及漏极之间的区域，第二次湿法刻蚀形成所述源极和漏极、露出所述有源层；其中所述第二次湿法刻蚀所述金属层的持续时间为60～85秒；

以所述第二图案化光阻为掩膜，进行第二次干法刻蚀所述有源层以形成导电沟道；

去除所述第二图案化光阻、并完成第二绝缘层和电极层的制备。