[发明专利]一种制备高纯度硫酸钴晶体的方法

权利要求书

1.一种制备高纯度硫酸钴晶体的方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）原料处理：收集废旧锂离子电池的正极，粉碎成粘附有钴酸锂的铝箔小片；

2）钴酸锂浸出：用能够溶解电池中粘附剂的溶剂对于铝箔小片中的钴酸锂进行浸出，浸出温度为130-150℃，铝箔小片与所述溶剂的固液比为0.1-0.5g/ml；浸出时间为2-4h；浸出完成后过50-100目筛，将过筛后的溶液中的溶剂蒸发，得粗制的钴酸锂；

3）酸溶解：用浓硫酸对步骤3获得的粗制的钴酸锂进行溶解，同时加入还原剂；

4）一次除铁：加入氢氧化钠，调节步骤3中的溶液的PH为5-6，产生氢氧化铁沉淀，过滤后收集滤液；

5）二次除铁：对步骤4获得的滤液中加入萃取剂，将上述滤液分成含铁的有机相除去，保留无机相；

6）沉钴：继续向步骤5得到的无机相中加入氢氧化钠，调节PH为9-11，得氢氧化钴沉淀，过滤后收集沉淀；

7）硫酸钴结晶：将步骤6得到的氢氧化钴沉淀和稀硫酸反应后，浓缩结晶成硫酸钴晶体。

2.根据权利要求1所述的一种制备高纯度硫酸钴晶体的方法，其特征在于，所述步骤1中，所述铝箔小片的体积在1-10cm3之间。

3.根据权利要求1所述的一种制备高纯度硫酸钴晶体的方法，其特征在于，所述步骤2中，所述溶剂为有机溶剂。

4.根据权利要求3所述的一种制备高纯度硫酸钴晶体的方法，其特征在于，所述有机溶剂为DCM和DMF的混合溶剂。

5.根据权利要求4所述的一种制备高纯度硫酸钴晶体的方法，其特征在于，所述DCM和DMF的摩尔比为1:1。

6.根据权利要求1所述的一种制备高纯度硫酸钴晶体的方法，其特征在于，所述步骤3中的还原剂为硫代硫酸钠。

7.根据权利要求1所述的一种制备高纯度硫酸钴晶体的方法，其特征在于，所述步骤5中的萃取剂为异辛基酸性磷酸酯胺盐。

8.根据权利要求1所述的一种制备高纯度硫酸钴晶体的方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）原料处理：收集废旧锂离子电池的正极，粉碎成粘附有钴酸锂的铝箔小片；

2）钴酸锂浸出：用能够溶解电池中粘附剂的溶剂对于铝箔小片中的钴酸锂进行浸出，浸出温度为140℃，铝箔小片与所述溶剂的固液比为0.25g/ml；浸出时间为3h；浸出完成后过80目筛，将过筛后的溶液中的溶剂蒸发，得粗制的钴酸锂；

3）酸溶解：用浓硫酸对步骤3获得的粗制的钴酸锂进行溶解，同时加入还原剂；

4）一次除铁：加入氢氧化钠，调节步骤3中的溶液的PH为5.5，产生氢氧化铁沉淀，过滤后收集滤液；

5）二次除铁：对步骤4获得的滤液中加入萃取剂，将上述滤液分成含铁的有机相除去，保留无机相；

6）沉钴：继续向步骤5得到的无机相中加入氢氧化钠，调节PH为10，得氢氧化钴沉淀，过滤后收集沉淀；

7）硫酸钴结晶：将步骤6得到的氢氧化钴沉淀和稀硫酸反应后，浓缩结晶成硫酸钴晶体。