[发明专利]一种检测方法和检测设备在审
申请号: | 202010981796.9 | 申请日: | 2020-09-17 |
公开(公告)号: | CN114199891A | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
发明(设计)人: | 陈鲁;方一;黄有为;魏林鹏 | 申请(专利权)人: | 深圳中科飞测科技股份有限公司 |
主分类号: | G01N21/95 | 分类号: | G01N21/95;H01L21/67;H01L21/66 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李婷婷 |
地址: | 518109 广东省深圳市龙华区大浪街*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 检测 方法 设备 | ||
本发明提供了一种检测方法和检测设备,包括:提供检测光,所述检测光在待测物表面形成检测光斑,所述检测光经所述待测物形成信号光;探测所述待测物表面探测区内的第一信号光,所述探测区与所述检测光斑至少部分重叠,调整第一信号光的检测区域的尺寸,其中,调整第一信号光的检测区域的尺寸包括:在对所述待测物远离其中心的区域进行检测时,将检测第一信号光的检测区域调整为第一尺寸,在对所述待测物靠近其中心的区域进行检测时,将检测第一信号光的检测区域调整为第二尺寸,在垂直于扫描方向的方向上,所述第一尺寸大于所述第二尺寸,以减小光斑内外两侧的扫描速度差异,提高检测的灵敏度。
技术领域
本发明涉及光学检测技术领域,更具体地说,涉及一种检测方法和检测设备。
背景技术
在芯片制造前或制造过程中,需检测晶圆等结构上的缺陷,以提高芯片的良率。现有技术中一般采用光学检测方法检测晶圆表面的缺陷,即将检测光照射到晶圆表面,经晶圆表面反射或散射后形成信号光,通过探测装置采集信号光即可获得晶圆表面的缺陷信息等。
为了采集晶圆各个区域的缺陷信息,需移动检测光使检测光对晶圆进行逐点扫描。而为了加快检测速度,可以采用线阵扫描替代点扫描,如沿螺旋线对晶圆表面进行线阵扫描,或者沿同心圆对晶圆表面进行线阵扫描等。但是,采用上述扫描方式进行扫描检测时,检测的灵敏度较低。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种检测方法和检测设备,以提高检测的灵敏度。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
一种检测方法,包括:
提供检测光,所述检测光在待测物表面形成检测光斑,所述检测光经所述待测物形成信号光;
探测所述待测物表面探测区内的第一信号光,所述探测区与所述检测光斑至少部分重叠;
调整所述第一信号光的检测区域的尺寸;
其中,调整所述第一信号光的检测区域的尺寸包括:
在对所述待测物远离其中心的区域进行检测时,将所述第一信号光的检测区域调整为第一尺寸,在对所述待测物靠近其中心的区域进行检测时,将所述第一信号光的检测区域调整为第二尺寸,在垂直于扫描方向的方向上,所述第一尺寸大于所述第二尺寸。
可选地,调整所述第一信号光的检测区域的尺寸包括:
调整所述检测光斑的尺寸和/或调整所述探测区的尺寸。
可选地,还包括:
使所述探测区的中心与所述检测光斑的中心重叠。
可选地,在对所述待测物远离其中心的区域进行检测时,将所述第一信号光的检测区域调整为第一尺寸,在对所述待测物靠近其中心的区域进行检测时,将所述第一信号光的检测区域调整为第二尺寸包括:
在对所述待测物远离其中心的区域进行检测时,将所述检测光斑的尺寸调整为第一尺寸,在对所述待测物靠近其中心的区域进行检测时,将所述检测光斑的尺寸调整为第二尺寸,且在任一方向上,所述检测光斑的尺寸小于等于所述探测区的尺寸;
和/或,在对所述待测物远离其中心的区域进行检测时,将所述探测区的尺寸调整为第一尺寸,在对所述待测物靠近其中心的区域进行检测时,将所述探测区的尺寸调整为第二尺寸,且在任一方向上,所述探测区的尺寸小于等于所述检测光斑的尺寸。
可选地,将所述检测光斑的尺寸调整为第一尺寸包括:控制第一扩束组件进入所述检测光的光路,和/或,控制第一光阑组件离开所述检测光的光路,以将所述检测光斑的尺寸调整为第一尺寸;
将所述检测光斑的尺寸调整为第二尺寸包括:控制所述第一扩束组件离开所述检测光的光路,和/或,控制所述第一光阑组件进入所述检测光的光路,以将所述检测光斑的尺寸调整为第二尺寸。
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