[发明专利]薄板钼金属的精密高效切割方法有效

专利信息
申请号: 202010982240.1 申请日: 2020-09-17
公开(公告)号: CN112171189B 公开(公告)日: 2022-12-13
发明(设计)人: 孟亚丽;李云;祝永华 申请(专利权)人: 常州苏晶电子材料有限公司
主分类号: B23P15/00 分类号: B23P15/00;B23K26/38
代理公司: 无锡智麦知识产权代理事务所(普通合伙) 32492 代理人: 王普慧
地址: 213000 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 薄板 金属 精密 高效 切割 方法
【说明书】:

发明公开了一种薄板钼金属的精密高效切割方法,包括如下步骤:准备样品、预校平钼板、准备切割工装模具、切割。本发明选用光纤激光切割机对钼衬底进行切割,选用特定的参数,使切割效率、尺寸精度、翘曲度及毛刺情况的要求都得到了保证;激光切割前,对坯料进行预校平;同时,光纤激光切割方法切割工件时,对每一个独特形状的产品,必须有匹配的工装来配合该切割方法,从而保证切割产品的精度。

技术领域:

本发明涉及靶材加工技术领域,尤其涉及一种薄板钼金属的精密高效切割方法。

背景技术:

市场预测,未来Micro LED将快速成长。Micro LED的核心是P型和N型半导体以及中间的PN结,即发光二极管。制作发光二极管的关键,是在晶圆上通过液相外延、气相外延或MOCVD外延等方法生长出半导体GaAs,GaN等外延层。到目前为止,GaN器件主要是采用蓝宝石衬底,通过异质外延方法制作。但是,蓝宝石的缺点也很明显,与外延层的晶格失配达13.8%,不利于降低位错;同时蓝宝石是绝缘体,常温下的电阻率大于1000Ω.cm,在这种情况下无法制作垂直结构的器件;导热性不好,不利于器件的热耗散,对制造大功率LED不利;毫无疑问,为了适应Micro LED的发展,蓝宝石衬底需要更好的产品来进行替代。作为高熔点金属钼,有很多优异的性能。如高温稳定性,较高的导热系数等,关键是其与GaN晶格失配小,热失配小。钼晶格常数,与氮化镓的晶格常数接近,晶格失配率小,远优于蓝宝石;同时两者的热膨胀系数相当,热失配率比蓝宝石更小;而且其导热系数大,解决了散热的问题;解决了蓝宝石衬底不导电的问题。

众所周知,在直径方向上,衬底要求的精度很高,要求在几十微米甚至几个微米以内,同时衬底的平整度要求高,切割后不能有明显的翘曲和变形,无大的毛刺等,而金属与蓝宝石不同,材质脆性小,不易断裂,因此不能用蓝宝石衬底的方法切割。钼衬底的初始厚度约0.1-0.2mm,直径50-100mm。钼衬底是一个新兴的产品,目前在市场上还没有成熟的大规模应用,各家都在研究阶段,所以,没有成熟的切割方法。一般情况下,切割厚板金属可以考虑大功率激光切割机,但是,该种方法精度差,纳秒或皮秒激光切割机的精度高,但是,切割效率低,不适合切割厚度在0.1mm以上,尺寸较大的工件;冲压成形的方法虽然效率高,但是,会有应力导致的变形产生。

发明内容:

本发明所要解决的技术问题是:适合切割钼衬底的方法,同时得到合理的切割参数,提出了一种薄板钼金属的精密高效切割方法,通过这种方法切割效率高,切割质量好,满足了生产的需要。

为了达到上述目的,本发明采用如下技术方案:

一种薄板钼金属的精密高效切割方法,基于光纤激光切割器,具体包括如下步骤:

步骤1、准备样品:准备宽度和长度大于钼衬底直径、厚度在0.05-0.2mm的钼板;

步骤2、预校平钼板:准备校平模具,将钼衬底放入校平模具内,送入校平炉内,进行升温、保温及降温处理,使钼衬底的翘曲度小于要求值;

步骤3、准备切割工装模具:选用光纤激光切割器,包括一切割工作台,制作切割模具,将切割模具固定在工作台上;

步骤4:切割:控制切割功率计切割速率,开启压缩空气对钼衬底进行切割,切割结束后,将钼衬底平铺在容器中,将液氮注入容器内,密封保存。

作为优选,首先采用轧制方式制得钼衬底,轧制后翘曲度大于180°,钼板表面有明显的波浪。

钼板轧制后,通常会有波浪纹,翘曲等,使得整体平整度比较差,这种情况下直接切割,会将波浪等缺陷保留在切割后的产品中,使得后续无法校平。因此切割之前必须预校平,使翘曲度小于要求值R,R一般在0-200μm之间。R的值太大,达不到该步骤校平的目的。

为了保证校平效果,需要严格控制温度升降规律,步骤2中,首先将校平炉的温度升至800-900℃,保温1h-3h,最后降温至30-80℃。

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