[发明专利]摄像系统、光探测器及光电二极管有效
申请号: | 202010982805.6 | 申请日: | 2020-09-17 |
公开(公告)号: | CN112071923B | 公开(公告)日: | 2022-12-09 |
发明(设计)人: | 孙拓 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L27/146 |
代理公司: | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人: | 张相钦 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 摄像 系统 探测器 光电二极管 | ||
1.一种光电二极管,其特征在于,包括:
设于一衬底上的电极层,包括第一电极以及围绕所述第一电极的第二电极;所述第二电极在所述衬底上的正投影与所述第一电极在所述衬底上的正投影之间的环形区域具有内边缘和外边缘,所述环形区域内边缘的形状为六边形,且形状为六边形的所述环形区域内边缘的任意相邻的两个边的夹角均为钝角;所述环形区域外边缘的形状为六边形,且形状为六边形的所述环形区域外边缘的任意相邻的两个边的夹角均为钝角;所述环形区域内边缘的六个边与所述环形区域外边缘的六个边一一对应平行;所述第二电极在所述衬底上的正投影的外边缘的形状为六边形,且任意相邻的两个边的夹角为钝角;所述第二电极在所述衬底上的正投影外边缘的六个边与所述环形区域外边缘的六个边一一对应平行;
半导体层,设于所述电极层远离所述衬底的一侧。
2.根据权利要求1所述的光电二极管,其特征在于,形状为六边形的所述环形区域内边缘存在相邻的两个边的连接处形成第一圆角;和/或
形状为六边形的所述环形区域外边缘存在相邻的两个边的连接处形成第二圆角。
3.根据权利要求1所述的光电二极管,其特征在于,所述环形区域内边缘存在相邻两个边的连接处具有第一圆角,与所述环形区域内边缘上所述的相邻两个边一一对应平行的所述环形区域外边缘上的两个边的连接处具有第二圆角,所述第一圆角的圆心和所述第二圆角的圆心重合。
4.根据权利要求1所述的光电二极管,其特征在于,所述第二电极在所述衬底上的正投影外边缘存在至少两个相邻的边的连接处形成第三圆角。
5.一种光探测器,其特征在于,包括:
衬底;
权利要求1-4任一项所述的光电二极管,所述电极层设于所述衬底上。
6.根据权利要求5所述的光探测器,其特征在于,所述光电二极管的数量为多个,任意相邻的两个所述光电二极管的所述第二电极电连接。
7.根据权利要求5所述的光探测器,其特征在于,所述光电二极管的数量为多个,多个所述光电二极管的所述半导体层为一体式结构。
8.根据权利要求5所述的光探测器,其特征在于,所述光探测器还包括:
读取晶体管,设于所述衬底上,所述电极层设于所述读取晶体管远离所述衬底的一侧,所述第一电极电连接于所述读取晶体管的源极或漏极。
9.一种光探测器,其特征在于,包括:
衬底;
多个权利要求1-4任一项所述的光电二极管,所述电极层设于所述衬底上,多个所述光电二极管的所述第二电极在所述衬底上的正投影呈蜂窝状排列。
10.一种摄像系统,其特征在于,包括权利要求5-9任一项所述的光探测器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的