[发明专利]一种电流型电平跳变监测单元

权利要求书

1.一种电流型电平跳变监测单元，其特征在于包括：充电路径单元1、充电路径单元2、可控开关M9、反相器U1和缓冲器U2；所述反相器U1的输入端连接输入数据信号D，所述缓冲器U2的输入端连接反相器U1的输出端，缓冲器U2的输出端输出反相输入数据信号DN；所述充电路径单元1包括三个控制输入端，分别连接反相时钟信号输入数据信号D、反相输入数据信号DN；所述充电路径单元2包括三个控制输入端，分别连接时钟信号Pck、输入数据信号D、反相输入数据信号DN；所述充电路径单元1、充电路径单元2的输出端均连接至可控开关M9的一端形成节点Error，可控开关M9的另一端接地，其控制端连接反相时钟信号当时钟信号Pck为有效电平时，使能跳变监测单元，可控开关M9断开，充电路径单元1或充电路径单元2响应输入数据信号D的电平跳变对节点Error进行充电，节点Error输出时序预警信号。

2.如权利要求1所述的一种电流型电平跳变监测单元，其特征在于：所述缓冲器U2采用高阈值晶体管实现。

3.如权利要求1或2所述的一种电流型电平跳变监测单元，其特征在于：所述充电路径单元1包括串联在电源VDD和节点Error之间的三个MOS晶体管，三个MOS晶体管的栅极作为充电路径单元1的三个控制输入端。

4.根据权利要求3所述的一种电流型电平跳变监测单元，其特征在于：所述充电路径单元1包括PMOS晶体管M1、M2、M3，PMOS晶体管M1、M2、M3顺次串联，PMOS晶体管M1的源极与电源VDD相连，PMOS晶体管管M3的漏极与节点Error相连，PMOS晶体管M1、M2、M3的栅极分别连接反相时钟信号反相输入数据信号DN、输入数据信号D。

5.根据权利要求1或2所述的一种电流型电平跳变监测单元，其特征在于：所述充电路径单元2包括串联在电源VDD和节点Error之间的两个MOS晶体管，以及给所述两个MOS晶体管提供充电控制信号的控制电路，所述控制电路包括串联在电源VDD和地之间的三个MOS晶体管，所述三个MOS晶体管的栅极作为充电路径单元2的三个控制输入端。

6.根据权利要求5所述的一种电流型电平跳变监测单元，其特征在于：所述充电路径单元2包括PMOS晶体管M4、M7、M8和NMOS晶体管M5、M6，PMOS晶体管M4和NMOS晶体管M5、M6顺次串联，PMOS晶体管M7、M8顺次串联，PMOS晶体管M4和PMOS晶体管M7的源极分别与电源VDD相连，NMOS晶体管M6的源极接地，PMOS晶体管M8的漏极与节点Error相连，PMOS晶体管M4和NMOS晶体管M5、M6的栅极分别连接时钟信号Pck、反相输入数据信号DN、输入数据信号D；PMOS晶体管M7、M8的栅极相连形成节点m，PMOS晶体管M4和NMOS晶体管M5的漏极与节点m相连。

7.根据权利要求1或2所述的一种电流型电平跳变监测单元，其特征在于：所述可控开关M9采用MOS晶体管实现。