[发明专利]积层电容结构及其改性制作方法

权利要求书

1.一种积层电容结构的改性制作方法，其特征在于，包括：

a)提供一塑胶薄膜；

b)在所述塑胶薄膜的一面上涂布一层陶瓷浆料；

c)在所述层陶瓷浆料上涂布一层铜膏而构成一原材，所述铜膏中至少包含铜粉末及石墨烯粉末；及

d)将所述原材以800℃以上的温度烧结使所述层陶瓷浆料烧结成一陶瓷介电层且所述铜膏烧结成一铜电极层。

2.如权利要求1所述的积层电容结构的改性制作方法，其特征在于，其中于步骤a中提供的所述塑胶薄膜呈带状，步骤c中构成的所述原材形成一料卷，且于步骤c中将所述料卷裁切成多个原材片，于步骤d中将多个所述原材片以相同方向堆栈成一积层结构再烧结所述积层结构。

3.如权利要求1所述的积层电容结构的改性制作方法，其特征在于，其中于步骤d中所述原材以1100℃以下的温度烧结。

4.如权利要求1所述的积层电容结构的改性制作方法，其特征在于，其中于步骤d中烧结所述原材而汽化所述塑胶薄膜。

5.如权利要求1所述的积层电容结构的改性制作方法，其特征在于，其中所述铜膏所述包含填充塑料，且于步骤d中烧结所述原材而汽化所述塑料。

6.如权利要求1所述的积层电容结构的改性制作方法，其特征在于，其中所述铜粉末包含多个铜原子且所述石墨烯粉末包含多个石墨烯分子，每六个所述石墨烯分子键结相连成一环形结构，且各所述环形结构的内侧键结有五个铜原子。

7.如权利要求6所述的积层电容结构的改性制作方法，其特征在于，其中各所述环形结构的外侧键结另一所述环形结构。

8.如权利要求7所述的积层电容结构的改性制作方法，其特征在于，其中多个所述环形结构平面延伸相连。

9.如权利要求7所述的积层电容结构的改性制作方法，其特征在于，其中多个所述环形结构层叠配置。

10.如权利要求1所述的积层电容结构的改性制作方法，其特征在于，其中所述铜膏中所含所述铜粉末的重量百分比介于50％至65％之间。

11.一种积层电容结构，其特征在于，包括：

一积层结构，包含层叠配置的多个陶瓷介电层，且相邻的任意二所述陶瓷介电层之间分别夹设有一铜电极层，

其中所述铜电极层包含多个石墨烯分子以及多个铜原子，多个所述石墨烯分子与多个所述铜原子相连呈层叠排列。

12.如权利要求11所述的积层电容结构，其特征在于，其中每六个所述石墨烯分子键结相连成一环形结构，且各所述环形结构内侧键结有五个铜原子。

13.如权利要求12所述的积层电容结构，其特征在于，其中各所述环形结构的外侧键结另一所述环形结构。

14.如权利要求13所述的积层电容结构，其特征在于，其中多个所述环形结构平面延伸相连。

15.如权利要求13所述的积层电容结构，其特征在于，其中多个所述环形结构层叠配置。

16.如权利要求11所述的积层电容结构，其特征在于，更包含分别包覆所述积层结构的一对侧缘的一对外电极，且其中一所述外电极连接一部份的多个所述铜电极层，另一所述外电极连接其余的多个所述铜电极层。