[发明专利]积层电容结构及其改性制作方法

说明书

本发明公开一种积层电容结构的改性制作方法，其步骤包括：提供一塑胶薄膜。在塑胶薄膜的一面上涂布一层陶瓷浆料。在陶瓷浆料上涂布一层铜膏而构成一原材，铜膏中至少包含铜粉末及石墨烯粉末。将原材以800℃以上的温度烧结使陶瓷浆料烧结成一陶瓷介电层且铜膏烧结成一铜电极层。借由石墨烯拘束铜原子，而将铜原子固定呈层状排列以提升铜电极层中的铜原子排列平整度。

技术领域

本发明涉及积层电容，尤其涉及一种石墨烯改性的积层电容结构及其改性制作方法。

背景技术

现有的积层电容制作方式为在陶瓷介电层的表面涂布铜膏，再将陶瓷介电层堆栈后烧结。烧结后的铜膏形成埋设在陶瓷内的铜电极层，且铜电极层层叠配置，铜电极层能够用于储存电荷以作为电容之用。

现有技术之缺点在于，铜膏在烧结的过程中熔融而易渗入陶瓷介电层表面的孔隙中致使铜电极层不平整因而降低电容储存电荷的能力。因此量产时部分的产品无法达到需求的储电能力，致使良率不佳。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种积层电容结构的改性制作方法，其步骤包括：提供一塑胶薄膜。在塑胶薄膜的一面上涂布一层陶瓷浆料。在陶瓷浆料上涂布一层铜膏而构成一原材，铜膏中至少包含铜粉末及石墨烯粉末。将原材以800℃以上的温度烧结使陶瓷浆料烧结成一陶瓷介电层且铜膏烧结成一铜电极层。

本发明的积层电容结构的改性制作方法，其中塑胶薄膜呈带状，原材形成一料卷，且将料卷裁切成多个原材片，将原材片以相同方向堆栈成一积层结构再烧结积层结构。

本发明的积层电容结构的改性制作方法，其中原材以1100℃以下的温度烧结。

本发明的积层电容结构的改性制作方法，其中烧结原材而汽化塑胶薄膜。

本发明的积层电容结构的改性制作方法，其中铜膏包含填充塑料，且烧结原材而汽化塑料。

本发明的积层电容结构的改性制作方法，其中铜粉末包含多个铜原子且石墨烯粉末包含多个石墨烯分子，每六个石墨烯分子键结相连成一环形结构，且各环形结构的内侧键结有五个铜原子。各环形结构的外侧键结另一环形结构。环形结构平面延伸相连。环形结构层叠配置。

本发明的积层电容结构的改性制作方法，其中铜膏中所含铜粉末的重量百分比介于50％至65％之间。

本发明另提供一种积层电容结构，其包括一积层结构。积层结构包含层叠配置的多个陶瓷介电层，且相邻的任意二陶瓷介电层之间分别夹设有一铜电极层。铜电极层包含多个石墨烯分子以及多个铜原子，石墨烯分子与铜原子相连呈层叠排列。

本发明的积层电容结构，其每六个石墨烯分子键结相连成一环形结构，且各环形结构内侧键结有五个铜原子。各环形结构的外侧键结另一环形结构。环形结构平面延伸相连。环形结构层叠配置。

本发明的积层电容结构更包含分别包覆积层结构的一对侧缘的一对外电极，且其中一外电极连接一部份的铜电极层，另一外电极连接其余的铜电极层。

本发明的积层电容结构及其改性制作方法借由石墨烯拘束铜原子，而将铜原子固定呈层状排列以提升铜电极层中的铜原子排列平整度。

附图说明

通过附图中所示的本发明优选实施例的具体说明，本发明上述及其它目的、特征和优势将变得更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分，且并未刻意按实际尺寸等比例缩放绘制附图，重点在于示出本发明的主旨。

图1为本发明优选实施例积层电容结构的改性制作方法的流程图。

图2至图6为本发明优选实施例积层电容结构的改性制作方法其各步骤示意图。

图7为本发明优选实施例积层电容结构其之石墨烯及铜原子连接结构示意图。

图8为本发明优选实施例积层电容结构示意图。