[发明专利]控制设备和方法、光刻装置、制造物品的方法和存储介质有效
申请号: | 202010984147.4 | 申请日: | 2020-09-18 |
公开(公告)号: | CN112526828B | 公开(公告)日: | 2023-10-03 |
发明(设计)人: | 西村光英;本岛顺一 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 北京怡丰知识产权代理有限公司 11293 | 代理人: | 迟军 |
地址: | 日本东京都*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 控制 设备 方法 光刻 装置 制造 物品 存储 介质 | ||
本发明提供控制设备和方法、光刻装置、制造物品的方法和存储介质。控制设备用于通过向控制对象赋予前馈操作量来进行对控制对象的位置控制,从而即使在通过赋予前馈操作量来进行位置控制的情况下继续控制的目标时间超过上限,也能够抑制控制偏差,控制设备包括:被构造为用作确定单元和校正单元的至少一个处理器或电路,确定单元被构造为,确定用于继续使用前馈操作量的控制的目标时间是否超过预定时间,并且校正单元被构造为,在确定单元确定目标时间超过了预定时间的情况下,将前馈操作量校正为向目标时间的末端衰减。
技术领域
本发明涉及控制设备、控制方法、光刻装置、制造物品的方法等。
背景技术
例如,在用于制造半导体器件的曝光装置中,就生产量而言,快速减小在将诸如保持原版或基板的载台的控制对象移动到目标位置时出现的控制偏差是有利的。
在日本未审查专利申请、首次公开第2013-218496号公报中,测量了当将诸如脉冲信号的预定操作量赋予基板台(控制对象)时基板台的响应。然后,基于测量结果,生成要赋予基板台以减小控制偏差的前馈(FF)操作量。
如上所述,通过将生成的前馈(FF)操作量赋予基板台并控制基板台的位置,可以快速减小移动到目标位置的基板台的控制偏差,并且可以缩短稳定时间(settling time)。
例如,在曝光装置中,存在基板台的移动完成之后的处理时间长(200毫秒以上)的情况。通过曝光装置的操作方法来确定处理时间,并且可以组合处理时间长和短的情况。例如,曝光量设置、对准设置等能够处理该问题。
另一方面,如果处理时间长,则期望在抑制大的FF控制的控制偏差的状态下继续进行。即,例如,在存储FF操作量的情况下,需要在曝光时存储曝光区域的数量×处理时间,并且在对准测量时存储对准镜头的数量×处理时间和FF操作量。在曝光装置中,由于一个基板包括100个或更多个拍摄区域,因此需要在100个或更多个不同的基板台的坐标处移动(扫描)基板台的同时转印掩模图案。因此,当赋予基板台的FF操作量针对基板台的各个坐标而不同时,曝光装置需要包括用于存储100种以上的FF操作量的存储器。
此外,曝光装置的计算机结构被划分为多个层,并且当不考虑这些层时,不难确保用于存储与处理时间长的情况相对应的FF操作量的大容量存储器。然而,当考虑这些层时,难以确保大容量存储器。
即,当处理时间短时,基板台的坐标之间的移动时间(包括移动后的处理时间)非常短(100毫秒以下),在此期间,难以从上层发送针对下一目标位置的FF操作量。因此,由于控制基板台所需的数据被存储在下层的计算机(存储器)中,并且下层的存储容量受到限制,因此,目前难以存储与长处理时间相对应的100种以上的FF操作量。
此外,当根据FF操作量的长度改变存储有数据的层时,处理变得复杂。
此外,当FF控制停止时,在短时间内(约5毫秒至10毫秒)出现控制偏差。在这种情况下的控制偏差例如是比进行FF控制的状态下更大的控制偏差(约5纳米至100纳米)。
然而,在对准测量处理或曝光处理中出现控制偏差导致精度降低和生产量降低,因此需要避免。
因此,本发明的目的是提供如下控制设备,即使在通过赋予前馈操作量进行位置控制的情况下继续控制的目标时间超过上限,该控制设备也能够抑制控制偏差。
发明内容
提供了一种控制设备,用于通过向控制对象赋予前馈操作量,来进行对所述控制对象的位置控制,所述控制设备包括:被构造为用作确定单元和校正单元的至少一个处理器或电路,所述确定单元被构造为,确定用于继续使用所述前馈操作量的控制的目标时间是否超过预定时间,并且所述校正单元被构造为,在所述确定单元确定所述目标时间超过了所述预定时间的情况下,将所述前馈操作量校正为向所述目标时间的末端衰减。
通过以下参照附图对示例性实施例的描述,本发明的其他特征将变得清楚。
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