[发明专利]一种基因测序基片的制备方法在审

专利信息
申请号: 202010984826.1 申请日: 2020-09-18
公开(公告)号: CN112195227A 公开(公告)日: 2021-01-08
发明(设计)人: 李文涛;陈子天;段海峰 申请(专利权)人: 赛纳生物科技(北京)有限公司
主分类号: C12Q1/6869 分类号: C12Q1/6869;G03F7/00
代理公司: 北京嘉途睿知识产权代理事务所(普通合伙) 11793 代理人: 彭成
地址: 100176 北京市大兴*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 基因 测序基片 制备 方法
【说明书】:

发明提供一种基因测序基片的制备方法,可以消除在玻璃上的纳米压印胶的荧光性,从而使得紫外纳米压印胶制备的微坑结构可以应用于基因测序芯片。利用紫外光源长时间的照射玻璃上的纳米压印胶的薄层,可以消除该薄层纳米压印胶的荧光。方法简单,并且不会对于纳米压印胶造成损伤。

技术领域

本发明涉及一种基因测序芯片的制备方法,属于基因测序领域。

背景技术

高通量测序仪是近几年高速发展的技术。高通量测序,相较于传统桑格测序,最大的优势是可以同时读出海量的序列信息。虽然准确度不如传统测序方法,但由于海量数据分析,便可得出超出序列本身的信息,如基因表达量、拷贝数变异。当今主流测序仪均使用SBS(sequencing by synthesis边合成边测序)方法,如solexa/illumina、454、iontorrent等。这些测序仪的结构相似,都包括流体系统,光学系统,和芯片系统。测序反应在芯片内发生。测序过程也很相似,都包括:将反应液通入芯片,发生SBS反应,采集信号,冲洗,进行下一轮。一般的测序芯片都包括微反应池,主要是石英等物质为基底。纳米压印技术是通过光刻胶辅助,将模板上的微纳结构转移到待加工材料上的技术。这种技术有望替代现有的光刻技术。纳米压印技术成本低,精度高,重复性好。本发明提供一种在玻璃上利用纳米压印制备有机物微坑的方法,这种微坑用于基因测序的时候,通过一定的处理,可以消除原始的荧光对于测序反应的影响。

发明内容

本发明公开一种基因测序基片的制备方法,包括下面的步骤:

在基底上涂胶,然后利用软压印的方法制备微结构基片;

将制备好微结构的基片放在照射设备下面,

照射设备包括LED光源和菲涅尔透镜;

将基片用照射设备照射;

其中所述LED光源的波长为300-600nm。

根据优选的实施方式,所述微结构指的是阵列排布的微坑。

根据优选的实施方式,所述微结构的周期为1-10微米,优选的1.2-5微米。

根据优选的实施方式,所述基底上涂胶指的是旋涂紫外纳米压印胶。

根据优选的实施方式,所述基底为玻璃,石英,蓝宝石玻璃,硅片,金属板中的一种。

根据优选的实施方式,将基片放置在照射设备下面,LED光源的光透过菲涅尔透镜照射到基片上;所述基片的照射时间为为1-8小时,优选的2-6小时。

根据优选的实施方式,将基片封装形成基因测序芯片。

根据优选的实施方式,所述基片经过照射以后,涂层材料在450-650nm的发射光明显降低,优选480-600nm的发射光明显降低,所述的明显降低指的是发射光强度降低50%以上,优选60%以上,更优选70%以上,更优选80%以上,更优选90%以上。

本发明公开一种基因测序方法,其特征在于,

利用基因测序芯片进行测序;所述测序芯片具有流体出口、流体入口以及流体室;

所述流体室的至少一个表面上有预先用纳米压印方法制备的微坑;

所述基因测序芯片经过波长300-600nm的光照射,优选400-550nm光照射。

所述LED的功率为10-500W,优选50-100W。

一种去除基因测序基片荧光性的设备,其特征在于,包括基片、平台、光源、菲涅尔透镜;其中所述的基片为基因测序芯片的组成部分;所述基片为软压印的方法制备微结构基片;所述基片的表面有紫外纳米压印胶;所述光源为LED光源;LED光源的光经过菲涅尔透镜照射到基片上面;所述基片放置在平台上面。

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