[发明专利]屏蔽栅沟槽型器件的版图结构及制造方法

权利要求书

1.一种屏蔽栅沟槽型器件的版图结构，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底内的第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽分为第一部分沟槽和第二部分沟槽，所述第二部分沟槽靠近所述第一部分沟槽两端的端部设置，并且所述第二部分沟槽沿第一部分沟槽的宽度方向向第一部分沟槽的两侧突出，所述第二部分沟槽的宽度大于所述第一部分沟槽的宽度，所述第二沟槽将相邻的第二部分沟槽连接；

位于所述第一沟槽内的源多晶硅和第一栅多晶硅，位于所述第二沟槽内的第二栅多晶硅；

位于所述第二部分沟槽的源多晶硅上的第一通孔，位于所述第二栅多晶硅上的第二通孔。

2.如权利要求1所述的屏蔽栅沟槽型器件的版图结构，其特征在于，所述第一沟槽内的栅多晶硅位于所述源多晶硅的两侧。

3.如权利要求1所述的屏蔽栅沟槽型器件的版图结构，其特征在于，还包括位于所述第一沟槽内的第一场氧化层和所述第二沟槽内的第二场氧化层，所述第一场氧化层位于所述第一沟槽的底部和侧壁，并围绕所述源多晶硅，所述栅多晶硅位于所述第一场氧化层上。

4.一种屏蔽栅沟槽型器件的制造方法，包括权利要求1～3任一项所述的屏蔽栅沟槽型器件的版图结构，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底；

所述第一沟槽分为第一部分沟槽和第二部分沟槽，所述第二部分沟槽靠近所述第一部分沟槽两端的端部设置，并且所述第二部分沟槽沿第一部分沟槽的宽度方向向第一部分沟槽的两侧突出，所述第二部分沟槽的宽度大于所述第一部分沟槽的宽度，所述第二沟槽将相邻的第二部分沟槽连接；

在所述第一沟槽内形成源多晶硅和第一栅多晶硅，在所述第二沟槽内形成第二栅多晶硅，其中，所述第一沟槽内的源多晶硅包括第一部分沟槽内的源多晶硅和第二部分沟槽内的源多晶硅，所述第一部分沟槽内的源多晶硅的宽度小于第二部分沟槽内的源多晶硅的宽度；

在所述第二部分沟槽的源多晶硅上形成第一通孔，在所述第二栅多晶硅上形成第二通孔。

5.如权利要求4所述的屏蔽栅沟槽型器件的制造方法，其特征在于，所述衬底为重掺杂型半导体结构。

6.如权利要求4所述的屏蔽栅沟槽型器件的制造方法，其特征在于，所述第一部分沟槽的横截面为长条状，所述第二沟槽的横截面为长条状。

7.如权利要求4所述的屏蔽栅沟槽型器件的制造方法，其特征在于，所述第一沟槽的宽度大于所述第二沟槽的宽度。

8.如权利要求4所述的屏蔽栅沟槽型器件的制造方法，其特征在于，所述第二沟槽垂直于所述第一部分沟槽的长度方向。

9.如权利要求4所述的屏蔽栅沟槽型器件的制造方法，其特征在于，在形成所述第一沟槽后，以及在所述第一沟槽内形成源多晶硅前，所述屏蔽栅沟槽型器件的制造方法还包括：

在所述第一沟槽内形成第一场氧化层，以及在第二沟槽内形成第二场氧化层，所述第一场氧化层位于所述第一沟槽的底部和侧壁，所述第二场氧化层填充所述第二沟槽。

10.如权利要求9所述的屏蔽栅沟槽型器件的制造方法，其特征在于，在所述第一沟槽内形成源多晶硅和第一栅多晶硅的方法包括：

所述第一场氧化层形成第三沟槽；

向所述第三沟槽内填充多晶硅形成源多晶硅；

部分刻蚀所述第一场氧化层；

刻蚀后的所述第一场氧化层上填充多晶硅形成第一栅多晶硅。

11.如权利要求9所述的屏蔽栅沟槽型器件的制造方法，其特征在于，在所述第二沟槽内形成第二栅多晶硅的方法包括：

部分刻蚀所述第二场氧化层使得第二场氧化层的厚度减小；

在刻蚀后的所述第二场氧化层上填充多晶硅形成第二栅多晶硅。