[发明专利]屏蔽栅沟槽型器件的版图结构及制造方法

说明书

本发明提供了一种屏蔽栅沟槽型器件的版图结构及制造方法，版图结构包括：衬底；位于所述衬底内的第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽分为第一部分沟槽和第二部分沟槽，所述第二部分沟槽靠近所述第一部分沟槽两端的端部设置，并且所述第二部分沟槽沿第一部分沟槽的宽度方向向第一部分沟槽的两侧突出，所述第二部分沟槽的宽度大于所述第一部分沟槽的宽度，所述第二沟槽将相邻的第二部分沟槽连接；位于第一沟槽内的源多晶硅和第一栅多晶硅，位于第二沟槽内的第二栅多晶硅；位于第二部分沟槽的源多晶硅上的第一通孔，位于第二栅多晶硅上的第二通孔。可以不用再额外使用第一通孔和第二通孔的光罩，节省了光罩和光刻的工序。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种屏蔽栅沟槽型器件的版图结构及制造方法。

背景技术

在耐压为60V以上的中低压器件领域内，屏蔽栅沟槽型(Shield Gate Trench，SGT)器件因为其低的比导通电阻和低的栅漏耦合电容，被得到广泛的应用。屏蔽栅沟槽型器件器件的栅极结构包括屏蔽多晶硅和栅多晶硅，屏蔽多晶硅通常也称为源多晶硅，都形成于沟槽中，根据源多晶硅和栅多晶硅在沟槽中的设置不同通常分为上下结构和左右结构。上下结构中源多晶硅位于沟槽的底部，栅多晶硅位于沟槽的顶部，栅多晶硅和源多晶硅之间呈上下或者左右结构关系。左右结构为源多晶硅在沟槽的中间，栅多晶硅在沟槽内位于源多晶硅的两侧。具体的，如图1所示，是现有屏蔽栅沟槽型器件器件的沟槽的结构示意图；图1 中的屏蔽栅沟槽型器件器件为一种左右结构的屏蔽栅沟槽型器件器件。衬底110内形成有第一沟槽，第一沟槽内形成有场氧化层120，场氧化层120位于第一沟槽的底部和侧壁，场氧化层120继续形成第二沟槽，向第二沟槽内填充多晶硅形成源多晶硅130。刻蚀场氧化层的两端，并填充多晶硅形成栅多晶硅140。

然而由于尺寸逐渐减小，源多晶硅和栅多晶硅的尺寸也在减小，因此没有足够的空间制作通孔层，如图2，是第一沟槽150的俯视图，第一沟槽150呈直条状，在第一沟槽150内形成的源多晶硅和栅多晶硅的尺寸较小，需要在第一沟槽150外的其他地方制作额外的通孔。现有技术中，需要在源多晶硅和栅多晶硅旁边额外制作通孔层150，所以需要额外制作一个光罩，如图3，是现有技术用于制作通孔层的光罩，包括：源多晶硅光罩定义出连通孔的区域160和栅多晶硅光罩定义出连通孔的区域170，浪费了光罩和制作光罩的时间，即浪费了材料和工艺。

发明内容

本发明的目的在于提供一种屏蔽栅沟槽型器件的版图结构及制造方法，可以直接从源多晶硅和栅多晶硅上形成通孔层，从而可以减少一层用于形成通孔层的光罩。

为了达到上述目的，本发明提供了一种屏蔽栅沟槽型器件的版图结构，包括：

衬底；

位于所述衬底内的第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽分为第一部分沟槽和第二部分沟槽，所述第二部分沟槽靠近所述第一部分沟槽两端的端部设置，并且所述第二部分沟槽沿第一部分沟槽的宽度方向向第一部分沟槽的两侧突出，所述第二部分沟槽的宽度大于所述第一部分沟槽的宽度，所述第二沟槽将相邻的第二部分沟槽连接；

位于所述第一沟槽内的源多晶硅和第一栅多晶硅，位于所述第二沟槽内的第二栅多晶硅；

位于所述第二部分沟槽的源多晶硅上的第一通孔，位于所述第二栅多晶硅上的第二通孔。

可选的，在所述的屏蔽栅沟槽型器件的版图结构，所述第一沟槽内的栅多晶硅位于所述源多晶硅的两侧。

可选的，在所述的屏蔽栅沟槽型器件的版图结构中，还包括位于所述第一沟槽内的第一场氧化层和所述第二沟槽内的第二场氧化层，所述第一场氧化层位于所述第一沟槽的底部和侧壁，并围绕所述源多晶硅，所述栅多晶硅位于所述第一场氧化层上。

本发明还提供了一种屏蔽栅沟槽型器件的制造方法，包括屏蔽栅沟槽型器件的版图结构，包括以下步骤：

提供衬底；