[发明专利]存储装置及其操作方法在审
申请号: | 202010986729.6 | 申请日: | 2020-09-18 |
公开(公告)号: | CN113849120A | 公开(公告)日: | 2021-12-28 |
发明(设计)人: | 金到训;李广淳 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 赵永莉;孙永梅 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储 装置 及其 操作方法 | ||
本公开涉及一种电子装置。根据本公开,一种具有提高的操作速度的存储装置可以包括:非易失性存储器装置;主存储器,被配置为临时存储与控制非易失性存储器装置相关的数据;以及存储器控制器,被配置为在外部主机的控制下控制非易失性存储器装置和主存储器。主存储器可聚合并处理从存储器控制器接收的写入事务之中的具有连续地址的大量写入事务,该写入事务等于主存储器的突发长度单位。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年6月25日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2020-0077968的韩国专利申请的优先权,该韩国专利申请通过引用整体并入本文。
技术领域
本公开涉及一种电子装置,并且更特别地,涉及一种存储装置及其操作方法。
背景技术
存储装置是一种在诸如计算机或智能电话的主机装置的控制下存储数据的装置。存储装置可以包括存储数据的存储器装置和控制存储器装置的存储器控制器。存储器装置可以分为易失性存储器装置或非易失性存储器装置。
易失性存储器装置可以是在供电时存储数据且在断电时丢失所存储的数据的装置。易失性存储器装置可以包括静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)等。
非易失性存储器装置是在断电时不会丢失数据的装置。非易失性存储器装置可以包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦可编程ROM(EEPROM)、闪速存储器等。
在企业服务器市场中,由于不断增加的带宽需求和功耗问题,经常利用包括NAND闪速存储器的固态驱动器(SSD)而非硬盘驱动器来作为存储装置。
最初的SSD控制器使用内部存储器作为数据缓冲器。然而,由于对高速的需求,近来SSD控制器使用DRAM作为数据缓冲器。大多企业服务器使用DRAM模块,其中昂贵的错误校正码(ECC)函数被应用为系统总线的主存储器以为服务器提供数据稳定性。
发明内容
本公开的实施例提供一种具有提高的操作速度的存储装置及其操作方法。
一种根据本公开的实施例的易失性存储器控制器,控制易失性存储器装置,可以包括:错误校正电路,被配置为从外部主机接收写入事务,其中该写入事务将数据存储在易失性存储器装置中,并且生成在对与写入事务相对应的数据执行错误校正编码时使用的码字;以及数据聚合器,被配置为生成合并事务,在该合并事务中,合并了与易失性存储器装置的突发(burst)长度相对应的写入事务,并且通过执行突发操作向易失性存储器装置提供合并事务。
一种根据本公开的实施例的存储装置可以包括:非易失性存储器装置;主存储器,被配置为临时存储与控制非易失性存储器装置相关的数据;以及存储器控制器,被配置为在外部主机的控制下控制非易失性存储器装置和主存储器,其中主存储器聚合并处理从存储器控制器接收到的写入事务之中的具有连续地址的大量写入事务,该写入事务等于主存储器的突发长度单位。
根据本公开,提供了一种具有提高的操作速度的存储装置及其操作方法。
附图说明
图1示出根据本公开的实施例的存储装置。
图2示出图1的存储器装置。
图3示出图2的存储块中的任意一个的配置。
图4示出当数据存储在主存储器装置时执行的错误校正编码操作。
图5示出用于存储校验数据的地址映射方法。
图6示出根据本公开的实施例的主存储器的操作。
图7示出根据本公开的实施例的存储装置的操作。
图8示出参照图7所述的调度器和内部总线的操作。
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