[发明专利]一种氧空位修饰的多孔镍钴氧化物纳米带材料及制备方法和应用

权利要求书

1.一种氧空位修饰多孔镍钴氧化物纳米带材料的制备方法，其特征在于：镍钴氧化物在原纳米带上原位长大为平均尺寸为15～20nm的纳米颗粒，形成宽度为100～150nm并具有平均孔径为5～7nm的介孔的镍钴氧化物纳米带。

2.根据权利要求1所述的一种氧空位修饰多孔镍钴氧化物纳米带材料的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：

(1)将草酸置于去离子水中进行磁力搅拌，然后将草酸溶液置于超声器中进行超声分散；

(2)将硝酸镍、硝酸钴加入到乙二醇中，超声并搅拌得到粉色透明溶液；

(3)将步骤(2)配制的溶液倒入步骤(1)配制的溶液中，然后将混合溶液搅拌5～10min，得到前驱体溶液；

(4)将步骤(3)中所得前驱体溶液加入到高压反应釜内胆中，将内胆旋好放入高压反应釜外壳中，将高压反应釜放入真空干燥箱，加热到115～125℃，保持20～25h；水热反应结束后，通过离心分离沉淀物，用去离子水和乙醇分别洗涤2～4次，然后置于真空干燥箱中干燥；

(5)将步骤(4)中所得产物置于管式炉中于空气气氛下进行退火，自然冷却后得到镍钴氧化物；

(6)将步骤(5)中所得产物置于管式炉中在氩气气氛下退火,得到氧空位修饰多孔镍钴氧化物纳米带材料。

3.根据权利要求2所述的氧空位修饰多孔镍钴氧化物纳米带材料的制备方法，其特征在于，步骤(1)的具体过程如下：将草酸置于去离子水中进行磁力搅拌5～10min，搅拌速度为600～800r/min，然后将草酸溶液置于超声器中进行超声分散5～10min。

4.根据权利要求2所述的氧空位修饰多孔镍钴氧化物纳米带材料的制备方法，其特征在于，步骤(2)中将硝酸镍、硝酸钴加入乙二醇中，超声5～10min，磁力搅拌5～10min，搅拌速度为600～800r/min,得到的硝酸盐溶液中镍钴离子的摩尔比为1:2；步骤(1)中的去离子水与步骤(2)中的乙二醇的体积比为1:3。

5.根据权利要求2所述的氧空位修饰多孔镍钴氧化物纳米带材料的制备方法，其特征在于，步骤(4)中干燥箱内干燥的具体条件如下：干燥温度为55～65℃，干燥时间为10～14h。

6.根据权利要求2所述的氧空位修饰多孔镍钴氧化物纳米带材料的制备方法，其特征在于，步骤(5)中煅烧温度为300～350℃，升温速率为5～10℃/min，保温时间为0.5～1h。

7.根据权利要求2所述的氧空位修饰多孔镍钴氧化物纳米带材料的制备方法，其特征在于，步骤(6)中，升温速率5～10℃/min，退火温度为350～450℃。

8.根据权利要求2所述的氧空位修饰多孔镍钴氧化物纳米带材料的制备方法，其特征在于，步骤(6)中，保温时间为1.5～2.5h，氩气流量为80～100sccm，随炉冷却，目的是使得纳米颗粒有合适的时间原位长大，形成多孔结构。

9.一种氧空位修饰多孔镍钴氧化物纳米带材料，其特征在于，按照权利要求1～8任意一项所述的制备方法制得。

10.根据权利要求9所述的氧空位修饰多孔镍钴氧化物纳米带材料的应用，其特征在于：能够应用于电化学领域。