[发明专利]整流模块

权利要求书

1.一种整流模块，其特征在于，包括底板、基板、芯片组件、压紧组件、固定件和外壳；

其中，所述底板为碳化硅铝材料；

所述基板、所述芯片组件和所述压紧组件由下至上呈层状依次设置在所述底板的上方，所述固定件贯穿并伸出所述底板的板面，并与所述压紧组件套接，以使所述压紧组件将所述芯片组件压接在所述基板上；

所述外壳罩设在所述底板的上方，与所述底板形成闭合腔体，所述基板、所述芯片组件和所述压紧组件均封装在所述闭合腔体中；

所述外壳上嵌装有外设电极，所述芯片组件与所述外设电极电连接；

所述固定件为紧固螺栓，所述底板上开设有沉孔，所述紧固螺栓以倒置方式置于所述底板上所开设的沉孔中；

所述紧固螺栓的螺杆贯穿所述沉孔并伸入所述外壳的空腔内部，所述紧固螺栓的螺杆贯穿并伸出所述压紧组件设置；

所述紧固螺栓的螺杆伸出所述压紧组件的一侧螺接有紧固螺母，所述紧固螺母用于通过压紧所述压紧组件紧固所述芯片组件；

所述基板包括叠加设置的氮化硅陶瓷基片和氮化铝陶瓷基片；

所述氮化硅陶瓷基片设置在所述底板的上方，所述氮化硅陶瓷基片与所述底板相贴合；

所述氮化铝陶瓷基片位于所述氮化硅陶瓷基片的上方，所述氮化铝陶瓷基片与所述氮化硅陶瓷基片背离所述底板的一侧相贴合；

所述氮化铝陶瓷基片背离所述氮化硅陶瓷基片的一侧与所述芯片组件相贴合；

所述氮化硅陶瓷基片和所述氮化铝陶瓷基片之间涂覆有导热硅脂；

所述芯片组件设有两个以上，各所述芯片组件以独立引出或者内部连接后引出中的任一种方式电连接至所述外设电极；

所述芯片组件包括第一电极、整流管芯片和第二电极，所述第一电极、所述整流管芯片和所述第二电极由下至上依次设置；且

所述氮化铝陶瓷基片背离所述氮化硅陶瓷基片的一侧与所述第一电极相贴合，所述第二电极朝向所述压紧组件的一侧与所述压紧组件贴合；

所述第一电极与所述整流管芯片的第一管脚电连接，所述第二电极与所述整流管芯片的第二管脚电连接；

所述外设电极包括第三电极和第四电极，所述第三电极与所述第一电极电连接，所述第四电极与所述第二电极电连接；

所述氮化硅陶瓷基片和所述氮化铝陶瓷基片叠加后的厚度D的范围为：2mm≤D≤4mm；

所述氮化硅陶瓷基片和所述氮化铝陶瓷基片的结构相同、大小相等，所述氮化硅陶瓷基片较所述氮化铝陶瓷基片的厚度薄。

2.根据权利要求1所述的整流模块，其特征在于，所述底板的朝向所述基板的一侧设有凸台，所述基板设置在所述凸台上；

所述凸台的横截面积小于所述基板的横截面积。

3.根据权利要求1所述的整流模块，其特征在于，所述底板朝向所述基板的一侧板面上设有缓冲层。

4.根据权利要求3所述的整流模块，其特征在于，所述缓冲层包括渗铝层，所述外壳的空腔内部填充有硅凝胶密封材料。

5.根据权利要求1所述的整流模块，其特征在于，所述压紧组件包括平垫、弹力件和压板；

所述平垫设置在所述芯片组件的上方，所述弹力件设置在所述平垫的顶部，且所述弹力件的一端与所述平垫抵接，所述弹力件的另一端与所述压板抵接，所述压板与所述固定件套接。

6.根据权利要求1所述的整流模块，其特征在于，还包括绝缘套管，所述绝缘套管设置在所述压紧组件和所述芯片组件之间；

所述绝缘套管与所述固定件套接，所述绝缘套管的一端与所述芯片组件抵接，所述绝缘套管的另一端与压紧组件抵接。