[发明专利]整流模块

说明书

本申请涉及一种整流模块，包括底板、基板、芯片组件、压紧组件、固定件和外壳；其中，所述底板为碳化硅铝材料；所述基板、所述芯片组件和所述压紧组件由下至上呈层状依次设置在所述底板的上方，所述固定件贯穿并伸出所述底板的板面，并与所述压紧组件套接，以使所述压紧组件将所述芯片组件压接在所述基板上；所述外壳罩设在所述底板的上方，与所述底板形成闭合腔体，所述基板、所述芯片组件和所述压紧组件均封装在所述闭合腔体中；所述外壳上嵌装有外设电极，所述芯片组件与所述外设电极电连接。其具有体积小、重量轻、可靠性高的特点。

技术领域

本公开涉及功率半导体整流器件领域，尤其涉及一种整流模块。

背景技术

整流二极管及可控硅是一种能够将交流电转变为直流电的功率半导体器件，具有明显的单向导向性。高压大功率整流二极管通常用高纯单晶硅制造，这种器件的PN结面积较大，能够通过数千安培的电流，重要用于各种高压电子装置的整流电路中。

整流模块通常采用铜材料作为散热底板，具有体积小、可靠性高、安装使用方便等特点，是中小功率电力电子装置中很受欢迎的整流二极管及可控硅封装形式，应用十分的广泛。但是受现有通用模块的结构设计、封装材料以及制造工艺的限制，高压大功率的电力电子装置通常使用常规的分立器件整流组件，存在体积大、重量大的问题。

发明内容

有鉴于此，本公开提出了一种整流模块，其具有体积小、重量轻、可靠性高的特点。

根据本公开的一方面，提供了一种整流模块，包括底板、基板、芯片组件、压紧组件、固定件和外壳；

其中，所述底板为碳化硅铝材料；

所述基板、所述芯片组件和所述压紧组件由下至上呈层状依次设置在所述底板的上方，所述固定件贯穿并伸出所述底板的板面，并与所述压紧组件套接，以使所述压紧组件将所述芯片组件压接在所述基板上；

所述外壳罩设在所述底板的上方，与所述底板形成闭合腔体，所述基板、所述芯片组件和所述压紧组件均封装在所述闭合腔体中；

所述外壳上嵌装有外设电极，所述芯片组件与所述外设电极电连接。

在一种可能的实现方式中，所述固定件为紧固螺栓，所述底板上开设有沉孔，所述紧固螺栓以倒置方式置于所述底板上所开设的沉孔中；

所述紧固螺栓的螺杆贯穿所述沉孔并伸入所述外壳的空腔内部，所述紧固螺栓的螺杆贯穿并伸出所述压紧组件设置；

所述紧固螺栓的螺杆伸出所述压紧组件的一侧螺接有紧固螺母，所述紧固螺母用于通过压紧所述压紧组件紧固所述芯片组件。

在一种可能的实现方式中，所述基板包括叠加设置的氮化硅陶瓷基片和氮化铝陶瓷基片；

所述氮化硅陶瓷基片设置在所述底板的上方，所述氮化硅陶瓷基片与所述底板相贴合；

所述氮化铝陶瓷基片位于所述氮化硅陶瓷基片的上方，所述氮化铝陶瓷基片与所述氮化硅陶瓷基片背离所述底板的一侧相贴合；

所述氮化铝陶瓷基片背离所述氮化硅陶瓷基片的一侧与所述芯片组件相贴合。

在一种可能的实现方式中，所述氮化硅陶瓷基片和所述氮化铝陶瓷基片之间涂覆有导热硅脂；

所述芯片组件设有两个以上，各所述芯片组件以独立引出或者内部连接后引出中的任一种方式电连接至所述外部电极；

所述芯片组件包括第一电极、整流管芯片和第二电极，所述第一电极、所述整流管芯片和所述第二电极由下至上依次设置；且

所述氮化铝陶瓷基片背离所述氮化硅陶瓷基片的一侧与所述第一电极相贴合，所述第二电极朝向所述压紧组件的一侧与所述压紧组件贴合；