[发明专利]一种直流接触器线圈的低边驱动自保持电路

权利要求书

1.一种直流接触器线圈的低边驱动自保持电路，其特征在于，包括开关管Q21～Q26、电容C21、电阻R21～R32以及电阻RS，其中：

电阻R21的第1管脚，分别连接BMS主控芯片的控制信号端SL2和电阻R26的第1管脚；

电阻R21的第2管脚，分别连接电阻R22的第1管脚和开关管Q21的栅极G；

开关管Q21的源极S，分别连接电阻R22的第2管脚和接地端GND；

开关管Q21的漏极D，连接电阻R23的第2管脚；

电阻R23的第1管脚，分别连接开关管Q22的基极B和电阻R24的第2管脚；

开关管Q22的发射极E，连接电阻R25的第2管脚；

开关管Q22的集电极C，分别连接开关管Q24的发射极E、开关管Q25的集电极C、电容C21的第1管脚、电阻R28的第1管脚和电阻R29的第1管脚；

电阻R24的第1管脚，分别连接直流电源VCC、电阻R25的第1管脚、电阻R27的第1管脚和电阻R30的第1管脚；

开关管Q24的基极B，连接电阻R26的第2管脚；

开关管Q24的集电极C，连接接地端GND；

电阻R27的第2管脚，连接开关管Q25的发射极E；

开关管Q25的基极B，分别连接电阻R31的第1管脚和电阻R30的第2管脚；

电容C21的第2管脚和电阻R28的第2管脚，分别与接地端GND连接；

电阻R29的第2管脚，连接开关管Q26的基极B；

开关管Q26的发射极E，连接电阻RS的第1管脚和电阻R32的第2管脚；

电阻RS的第2管脚，连接接地端GND；

开关管Q26的集电极C，连接低边驱动电路输入端VN；

低边驱动电路输入端VN，连接接触器线圈输出端VLN；

电阻R31的第2管脚，连接开关管Q23的集电极C；

开关管Q23的基极B，连接电阻R32的第1管脚；

开关管Q23的发射极E，连接接地端GND。

2.如权利要求1所述的低边驱动自保持电路，其特征在于，开关管Q21为N沟增强型场效应管MOSFET；

开关管Q22、Q23、Q24和Q26，为PNP型三极管；

开关管Q25，为NPN型三极管。

3.如权利要求1所述的低边驱动自保持电路，其特征在于，其工作模式如下：

一、在低边驱动电路的初始状态，BMS主控芯片的控制信号端SL2为低电平或高阻态输入，所述开关管Q21、所述开关管Q22、所述开关管Q23、所述开关管Q24、所述开关管Q25和所述开关管Q26均截止，接触器线圈不工作；

二、当BMS主控芯片的控制信号端SL2变为高电平时，所述开关管Q24截止，所述开关管Q21和所述开关管Q22导通，导通所述开关管Q26，接通直流电源VCC，接触器线圈正常工作；

所述开关管Q23基极偏置回路的偏置电压V3由0V变为高电位，使所述开关管Q23和所述开关管Q25导通；

直流电源VCC通过电阻R27、开关管Q25、电阻R28和电容C21，使得偏置电压V2保持高电位状态，持续导通所述开关管Q26，起到驱动自保持的作用；

三、当BMS主控芯片的控制信号端SL2由高电平变为低电平时，所述开关管Q21和所述开关管Q22由导通变为截止，直流电源VCC通过电阻R27、开关管Q25、电阻R28和电容C21继续使偏置电压V2保持高电位不变，使所述开关管Q24由截止变为导通，所述开关管Q26由导通变为截止，断开接触器线圈与直流电源VCC的连接，接触器线圈停止工作；

所述开关管Q26截止后，使所述开关管Q23和所述开关管Q25也由导通变为截止，断开所述开关管Q26基极偏置回路与直流电源VCC的连接，维持偏置电压V2为低电位状态，锁定所述开关管Q26为截止状态；

四、在接触器线圈通电状态下，当BMS主控芯片复位时，其控制信号端SL2由高电平输出变为高阻态输入，所述开关管Q21和所述开关管Q22由导通变为截止，所述开关管Q24保持截止状态，电容C21维持偏置电压V2的高电位不变，保持开关管Q26导通，维持偏置电压V3不变，保持开关管Q23和开关管Q25导通，持续接通直流电源VCC；由于直流电源VCC通过电阻R27、开关管Q25、电阻R28和电容C21继续使偏置电压V2保持高电位不变，因此开关管Q26、开关管Q23和开关管Q25一直保持导通状态，接触器线圈也始终保持工作状态，由此实现了接触器线圈驱动的自保持功能，直至控制信号SL2变为低电平。