[发明专利]光栅器件掩膜版及制造方法

权利要求书

1.一种光栅器件掩膜版，其特征在于，所述光栅器件掩膜版包括：

一单元掩膜版，所述单元掩膜版包括多个单元图形和多个切割道图形，多个所述切割道图形分别形成于多个所述单元图形周围，以隔离多个所述单元图形，多个所述单元图形在第一方向和第二方向上均呈对称分布，所述切割道图形包括：多个第一切割道图形和多个第二切割道图形，所述多个第一切割道图形与所述多个第二切割道图形交错排布，并且所述第一切割道图形和所述第二切割道图形部分重叠，所述多个第一切割道图形在第一方向上平行排布，所述多个第二切割道图形在第二方向上平行排布，所述第一切割道图形隔离所述第二方向上相邻的两个所述单元图形，所述第二切割道图形隔离所述第一方向上相邻的两个所述单元图形；其中，所述第一方向与所述第二方向垂直；

对准标记掩膜版，所述对准标记掩膜版包括多个对准标记图形，所述对准标记图形用于对切割道执行划片工艺的对准；所述对准标记图形对准所述切割道图形，并与所述单元图形相间隔，其中，所述对准标记图形对准所述第一切割道图形与所述第二切割道图形的重叠处，所述对准标记图形在所述第一切割道图形与所述第二切割道图形的重叠处呈正十字型。

2.如权利要求1所述的光栅器件掩膜版，其特征在于，所述对准标记图形在所述第一方向的最长边长以及在所述第二方向的最长边长均为70μm～90μm。

3.一种光栅器件的制造方法，其特征在于，所述光栅器件的制造方法采用如权利要求1或2所述的光栅器件掩膜版；所述光栅器件的制造方法包括：

提供半导体衬底；

使用单元掩膜版定义所述半导体衬底的多个单元区和多个切割道，多个所述切割道分别形成于多个所述单元区周围，以隔离多个所述单元区，所述切割道包括多个第一切割道和多个第二切割道，所述多个第一切割道与所述多个第二切割道交错排布，所述多个第一切割道在第一方向上平行排布，所述多个第二切割道在第二方向上平行排布，并且所述第一切割道与所述第二切割道部分重叠；

使用对准标记掩膜版在所述半导体衬底上形成对准标记，所述对准标记位于所述切割道内，所述对准标记用于对切割道执行划片工艺的对准，其中，所述对准标记位于所述第一切割道图形与所述第二切割道图形的重叠处，所述对准标记在所述切割道水平方向上的截面呈正十字型；

通过所述对准标记，沿所述切割道对所述半导体衬底执行划片工艺，以形成多个器件单元，其中，所述器件单元包括所述单元区的所述半导体衬底。

4.如权利要求3所述的光栅器件的制造方法，其特征在于，提供所述半导体衬底的方法包括：

提供一基底，所述基底的第一表面形成有光栅层，所述基底的第二表面形成有氧化层；

刻蚀所述光栅层，以形成光栅结构，所述光栅结构具有开口，所述开口自所述光栅层延伸至所述基底中；其中，一个所述器件单元包括至少一个所述光栅结构。

5.如权利要求3所述的光栅器件的制造方法，其特征在于，光栅层的材质为氧化硅。