[发明专利]光栅器件掩膜版及制造方法

说明书

本发明提供一种光栅器件掩膜版及制造方法，所述光栅器件掩膜版包括：单元掩膜版和对准标记掩膜版，所述单元掩膜版包括多个单元图形和多个切割道图形，多个所述切割道图形分别形成于多个所述单元图形周围，以隔离多个所述单元图形。所述对准标记掩膜版包括多个对准标记图形，所述对准标记图形对准所述切割道图形，并与所述单元图形相间隔。在光栅器件的制造方法中，采用所述光栅器件掩膜版，定义半导体衬底的单元区和切割道，并形成位于所述切割道内的对准标记；然后，通过所述对准标记，沿所述切割道对半导体衬底执行划片工艺，以形成多个器件单元，由此，通过所述对准标记切割所述半导体衬底，避免在执行所述划片工艺时发生偏离。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别涉及一种光栅器件掩膜版及制造方法。

背景技术

在目前半导体的制作过程中，在半导体衬底上制作半导体器件之前，需对半导体衬底进行布局设计，将半导体衬底划分为若干单元区(Die)和位于单元区之间的切割道(Scribe lane)，单元区用于后续形成半导体器件，切割道则是在半导体器件制作完成时，作为封装阶段单元区(Die)分割时的切割线。通常情况下，对半导体衬底进行划片工艺时，可以沿所述切割道的中心直接切割，将所述半导体衬底分为多个独立的器件单元，但光栅器件的内部结构为非对称的，因此在切割时，不易对准，容易造成切割刀片偏移，导致形成的器件单元偏移，甚至会损伤光栅器件的内部结构。

发明内容

本发明的目的在于提供一种光栅器件掩膜版及制造方法，以解决光栅器件在执行划片工艺时不易对准而造成的切割偏离的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种光栅器件掩膜版，所述光栅器件掩膜版包括：

一单元掩膜版，所述单元掩膜版包括多个单元图形和多个切割道图形，多个所述切割道图形分别形成于多个所述单元图形周围，以隔离多个所述单元图形；

对准标记掩膜版，所述对准标记掩膜版包括多个对准标记图形，所述对准标记图形对准所述切割道图形，并与所述单元图形相间隔。

可选的，在所述的光栅器件掩膜版中，多个所述单元图形在第一方向和第二方向上均呈对称分布。

可选的，在所述的光栅器件掩膜版中，所述切割道图形包括：多个第一切割道图形和多个第二切割道图形，所述多个第一切割道图形在第一方向上平行排布，所述多个第二切割道图形在第二方向上平行排布，所述第一切割道图形隔离所述第二方向上相邻的两个所述单元图形，所述第二切割道图形隔离所述第一方向上相邻的两个所述单元图形；其中，所述第一方向与所述第二方向垂直。

可选的，在所述的光栅器件掩膜版中，所述多个第一切割道图形与所述多个第二切割道图形交错排布，并且所述第一切割道图形和所述第二切割道图形部分重叠，所述对准标记图形对准所述第一切割道图形与所述第二切割道图形的重叠处。

可选的，在所述的光栅器件掩膜版中，所述对准标记呈十字型；所述对准标记图形在所述第一方向的最长边长以及在所述第二方向的最长边长均为70μm～90μm。

基于同一发明构思，本发明还提供一种光栅器件的制造方法，所述光栅器件的制造方法采用本发明所述的光栅器件掩膜版；所述光栅器件的制造方法包括：

提供半导体衬底；

使用单元掩膜版定义所述半导体衬底的多个单元区和多个切割道，多个所述切割道分别形成于多个所述单元区周围，以隔离多个所述单元区；

使用对准标记掩膜版在所述半导体衬底上形成对准标记，所述对准标记位于所述切割道内；

通过所述对准标记，沿所述切割道对所述半导体衬底执行划片工艺，以形成多个器件单元，其中，所述器件单元包括所述单元区的所述半导衬底。