[发明专利]焊带的制备方法有效
申请号: | 202010990288.7 | 申请日: | 2020-09-18 |
公开(公告)号: | CN112151631B | 公开(公告)日: | 2022-07-05 |
发明(设计)人: | 张泽辉;卢王威;刘俊辉;陶武松;郭志球 | 申请(专利权)人: | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/042;B23K35/40 |
代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成丽杰 |
地址: | 314416 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制备 方法 | ||
1.一种焊带的制备方法,其特征在于,包括:
将导电焊带本体以及合金焊料放置于加热容器中,所述合金焊料位于所述导电焊带本体的第一外表面上;其中,所述合金焊料为三元合金,且所述三元合金包括:锡、银和另一种金属;
对所述加热容器进行加热、保温得到熔融状态的合金焊料;
冷却所述熔融状态的合金焊料以得到位于所述第一外表面上的银膜层,以及位于所述导电焊带本体与所述银膜层之间的合金层;其中,所述银膜层由纳米银颗粒组成;
在不同的制备过程中,以不同的冷却速度冷却所述熔融状态的合金焊料,在不同的制备过程中得到纳米银颗粒的期望尺寸不同的银膜层;
其中,所述冷却速度越快,所述银膜层中纳米银颗粒的期望尺寸值越小。
2.根据权利要求1所述的焊带的制备方法,其特征在于,当所述冷却速度为每分钟降低1℃至100℃时,所述纳米银颗粒的尺寸范围在10纳米至80纳米。
3.根据权利要求2所述的焊带的制备方法,其特征在于,所述银膜层中所述纳米银颗粒的期望尺寸值为22纳米、30纳米、32纳米或45纳米。
4.根据权利要求3所述的焊带的制备方法,其特征在于,所述另一种金属包括:铜、铅或铋。
5.根据权利要求1或4所述的焊带的制备方法,其特征在于,所述银占所述合金焊料总质量的0.01%~10%、所述锡占所述合金焊料总质量的5%~90%、所述另一种金属占所述合金焊料总质量的5%~90%。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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