[发明专利]一种远程等离子体输送管以及远程等离子体处理设备

说明书

本发明公开一种远程等离子体输送管以及远程等离子体处理设备，涉及等离子体处理技术领域，以解决远程等离子体容易与等离子体输送管发生反应，产生副产物，从而导致最终的硅片成品率降低的技术问题。该远程等离子体输送管用于向工艺腔输送远程等离子体，远程等离子体输送管包括金属管，以及形成在所述金属管内壁的陶瓷结构，所述陶瓷结构用于隔离所述金属管与远程等离子体。远程等离子体处理设备包括上述技术方案所提供的远程等离子体输送管。

技术领域

本发明涉及远程等离子体处理技术领域，尤其涉及一种远程等离子体输送管以及远程等离子体处理设备。

背景技术

目前，通常使用等离子体处理设备对表面形成了氧化物的硅片进行处理。等离子体处理设备包括产生等离子体的等离子体发生器，放置硅片和对硅片进行等离子体处理的工艺腔，以及位于等离子体发生器与工艺腔之间的等离子体输送管。等离子体输送管用于将等离子体发生器产生的远程等离子体输送到工艺腔体内。

通常该远程等离子体中加入了具有刻蚀作用的气体，而等离子体输送管为金属管。远程等离子体容易与等离子体输送管发生反应，产生副产物，该副产物可能会随着等离子体进入工艺腔内。当该副产物进入到工艺腔内，掉落到待处理的硅片上时，会导致该硅片不符合成品要求，从而导致硅片成品率降低。

发明内容

本发明的目的在于提供一种远程等离子体输送管以及远程等离子体处理设备，以解决远程等离子体容易与等离子体输送管发生反应，产生副产物，从而导致最终的硅片成品率降低的技术问题。

第一方面，本发明提供了一种远程等离子体输送管，用于向工艺腔输送远程等离子体。远程等离子体输送管包括金属管，以及形成在金属管内壁的陶瓷结构，陶瓷结构用于隔离金属管与远程等离子体。

可选地，所述陶瓷结构为陶瓷涂层。

可选地，所述陶瓷结构为陶瓷管。

可选地，所述陶瓷管包括可拼接在一起的多个子陶瓷管。

可选地，所述陶瓷结构的厚度为10μm～500μm。

可选地，所述陶瓷管的横截面为圆形、椭圆形或者多边形中的一种。

可选地，所述陶瓷结构为氮化铝结构、氮化钛结构、氮化硅结构或者氮化钙结构中的一种。

可选地，所述金属管的横截面为圆形、椭圆形或者多边形中的一种。

可选地，所述金属管为铝管、铝合金管中的一种。

第二方面，本发明还提供了一种远程等离子体处理设备，包括远程等离子体输送管。

与现有技术相比，本发明提供的远程等离子体输送管中，金属管的内壁形成有陶瓷结构。由于陶瓷结构形成在金属管的内壁，当远程等离子体输送管中有流通的远程等离子体时，由于该陶瓷结构的存在，金属管不会直接与远程等离子体直接接触，避免了远程等离子体与金属管发生反应。而陶瓷结构由于其本身的耐腐蚀特性，不会产生其它副产物。故本发明提供的远程等离子体输送管避免了由于远程等离子体与远程等离子体输送管发生反应产生副产物导致的硅片的成品率降低的问题。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1为现有技术中的一种远程等离子体处理设备；

图2为现有技术中的一种远程等离子体输送管的截面示意图；

图3为本发明提供的一种远程等离子体输送管的截面示意图；

图4为本发明提供的一种金属管与相应的陶瓷管的结构示意图；