[发明专利]具有包括不同材料层的公共源线的存储器件

权利要求书

1.一种存储器件，包括：

单元区，包括第一衬底、多个栅电极层、多个沟道区、源极区、侧墙间隔物和公共源线，其中所述多个沟道区在垂直于所述第一衬底的上表面的方向上延伸并穿过所述多个栅电极层，所述源极区形成在所述第一衬底中并掺杂有n型杂质，所述侧墙间隔物将所述多个栅电极层划分为多个部分，所述公共源线连接到所述源极区并在所述侧墙间隔物之间沿所述方向延伸；以及

外围电路区，包括第二衬底和布置在所述第二衬底上的多个外围电路器件；

其中所述单元区和所述外围电路区在所述方向上堆叠；以及

其中所述公共源线包括：第一层，布置在所述源极区上的所述侧墙间隔物之间；以及第二层，具有在所述侧墙间隔物之间的所述第一层上的阻挡层和在所述阻挡层上的金属层。

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述第一层包括掺杂有n型杂质的多晶硅，所述阻挡层包括金属、金属硅化物和金属化合物中的至少一种。

3.根据权利要求2所述的存储器件，其中在平行于所述第一衬底的所述上表面的第一方向上，所述第二层的长度大于所述第一层的长度。

4.根据权利要求2所述的存储器件，其中所述第一层的杂质浓度大于所述源极区的杂质浓度。

5.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述公共源线包括布置在所述第二层上的第三层，所述第三层包括金属、金属硅化物和金属化合物中的至少一种。

6.根据权利要求5所述的存储器件，其中所述第三层的厚度大于所述第二层的厚度。

7.根据权利要求5所述的存储器件，其中在平行于所述第一衬底的所述上表面的第一方向上，所述第三层的长度大于所述第一层的长度和所述第二层的长度。

8.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述第一层的厚度大于所述第二层的厚度。

9.根据权利要求1所述的存储器件，还包括：

层间绝缘层，布置在所述多个栅电极层上；

其中所述第二层的上表面与所述层间绝缘层的上表面共面。

10.根据权利要求1所述的存储器件，其中在平行于所述第一衬底的所述上表面的方向上，所述阻挡层的至少一部分布置在所述侧间隔物之一和所述金属层之间。

11.根据权利要求1所述的存储器件，还包括：

隔离绝缘层，划分所述多个栅电极层中最上面的栅电极层，

其中，所述第二层的底表面高于所述隔离绝缘层的底表面。

12.一种存储器件，包括：

第一衬底；

源极区，形成在所述第一衬底中并掺杂有n型杂质；

多个栅电极层，堆叠在所述第一衬底上；

隔离绝缘层，划分所述多个栅电极层中最上面的栅电极层；

多个沟道区，在垂直于所述第一衬底的上表面的方向上延伸并穿过所述多个栅电极层；

公共源线，与所述源极区接触，在平行于所述第一衬底的上表面的第一方向上延伸，并包括第一层和第二层，所述第一层包括以比所述源极区高的杂质浓度掺杂有n型杂质的多晶硅，所述第二层包括金属、金属硅化物和金属化合物中的至少一种并布置在所述第一层上；以及

多个外围电路器件，在第二衬底上；

其中所述第一衬底和所述第二衬底在所述方向上划分，并且

所述第二层的底表面高于所述隔离绝缘层的底表面。

13.根据权利要求12所述的存储器件，还包括：

多个虚沟道区，穿过所述隔离绝缘层并沿所述方向延伸。