[发明专利]具有包括不同材料层的公共源线的存储器件

说明书

一种存储器件包括：栅结构，包括在衬底的上表面上堆叠的多个栅电极层；多个沟道区，穿过栅结构并且沿与衬底的上表面垂直的方向延伸；源极区，设置在衬底上沿第一方向延伸，并且包括杂质；以及公共源线，沿与衬底的上表面垂直的方向延伸，与源极区相连，并且包括含不同材料的多层。

本申请是申请日为2017年3月28日、申请号为201710195350.1的中国专利申请“具有包括不同材料层的公共源线的存储器件”的分案申请。

相关申请的交叉引用

本申请要求2016年4月21日递交的美国临时专利申请No.62/325,565的优先权以及2016年5月26日递交的韩国专利申请No.10-2016-0064692的优先权，这二者的全部内容一并在此引入作为参考。

技术领域

本发明构思一般地涉及半导体，更具体地涉及存储器件。

背景技术

电子器件逐渐变得越来越小，但是更加需要处理大量的数据。因此，应该增加这些电子产品中使用的半导体存储器件的集成度。为了提供集成度增加的半导体存储器件，已经提出了一些具有竖直晶体管结构的存储器件来代替平面晶体管结构的存储器件。

发明内容

本发明构思的一些实施例提供了一种存储器件，所述存储器件包括：栅结构，包括在衬底的上表面上堆叠的多个栅电极层；多个沟道区，穿过栅结构并且沿与衬底的上表面垂直的方向延伸；源极区，设置在衬底上沿第一方向延伸，并且包括杂质；以及公共源线，沿与衬底的上表面垂直的方向延伸，与源极区相连，并且包括含不同材料的多层。

本发明构思的另外实施例提供了一种存储器件，包括：衬底；源极区，设置在衬底上沿第一方向延伸，并且包括n型杂质；多个沟道区，沿与衬底的上表面垂直的方向延伸；多个栅电极层，堆叠在衬底的上表面上，并且设置为与所述多个沟道区中的至少一部分相邻；以及公共源线，设置在源极区上沿第一方向延伸，并且包括第一层和第二层，其中第一层包含多晶硅，多晶硅具有浓度比源极区高的n型杂质，第二层设置在第一层的上表面上并且包含金属、金属硅化物和金属化合物中的至少一种。

本发明构思的其他实施例提供了一种竖直型存储器件，所述竖直型存储器件包括：衬底上的源极区，所述源极区沿第一方向延伸并且包括杂质；以及公共源线，沿与衬底的上表面垂直的方向延伸，与源极区相连，并且包括含不同材料的多层。

附图说明

根据以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解本发明构思的以上和其他方面、特点和优点，在附图中：

图1是根据本发明构思的一些实施例的存储器件的示意框图。

图2是示出了根据本发明构思的一些实施例的存储器件的存储单元阵列的电路图。

图3是示意性地示出了根据本发明构思的一些实施例的存储器件的一部分的平面图。

图4是示出了根据图3所示的一些实施例的存储器件的一部分的透视图。

图5是示出了根据图3所示的一些实施例的存储器件的一部分的截面图。

图6是示出了图5所示的存储器件的区域A1的放大图。

图7是示出了图5所示的存储器件的区域A2的放大图。

图8A至图8D是示出了根据本发明构思的一些实施例的存储器件的一部分的透视图。

图9是示出了根据图8A所示的一些实施例的存储器件的一部分的截面图。

图10是示出了图9所示的存储器件的区域B1的放大图。

图11是示出根据本发明构思的一些实施例的存储器件的一部分的透视图。