[发明专利]一种新型MOS管隔离驱动电路在审
| 申请号： | 202010992250.3 | 申请日： | 2020-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN112039318A | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 周道龙;何宇;项亚南 | 申请（专利权）人： | 江苏信息职业技术学院 |
| 主分类号： | H02M1/08 | 分类号： | H02M1/08 |
| 代理公司： | 无锡万里知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32263 | 代理人： | 王传林 |
| 地址： | 214000*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 mos 隔离 驱动 电路 | ||
1.一种新型MOS管隔离驱动电路，其特征在于：包括Si8271芯片（1）、图腾柱驱动电路（2）、MOS管（Q3），所述Si8271芯片（1）与图腾柱驱动电路（2）连接，所述图腾柱驱动电路（2）与MOS管（Q3）连接，所述Si8271芯片（1）的一个控制引脚上接入PWM波信号（3），所述Si8271芯片（1）的一个控制引脚接入使能信号（4），所述Si8271芯片（1）的一个控制引脚上连接有输入电源VS（6），所述Si8271芯片（1）的一个控制引脚接地。
2.根据权利要求1所述的一种新型MOS管隔离驱动电路，其特征在于：还包括第一电阻（R1）、第二电阻（R2）、第三电阻（R3）、第一三极管（Q1）、第二三极管（Q2）、输出电源VD（5），所述第一电阻（R1）连接安装在Si8271芯片（1）上，所述第一三极管（Q1）、第二三极管（Q2）的基极分别连接在第一电阻（R1）上，所述第一三极管（Q1）、第二三极管（Q2）的发射极互相连接，且一并连接于第二电阻（R2），所述第二三极管（Q2）的集电极连接于Si8271芯片（1），所述第一三极管（Q1）的集电极连接于输出电源VD（5）,所述Si8271芯片（1）同样与输出电源VD（5）连接。
3.根据权利要求2所述的一种新型MOS管隔离驱动电路，其特征在于：所述第二电阻（R2）、第三电阻（R3）连接于MOS管（Q3），所述第三电阻（R3）的另一端与第二三极管（Q2）的集电极连接，所述第三电阻（R3）接入在MOS管（Q3）上。
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H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
